[发明专利]一种同轴垂直互连导电体的制作方法

权利要求书

1.一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：具体步骤如下：

P01：在衬底上采用等离子体刻蚀或化学湿法刻蚀方法，形成同轴、垂直衬底上表面且不穿透衬底的圆柱形深孔和圆环柱形深槽结构；

所述的圆柱位于圆环柱内，两者上表面具有相同的圆心位置，圆柱直径小于环形的内直径；

P02：垂直侧壁和衬底上表面依次均匀淀积绝缘层、粘附层和导电层材料；

所述垂直侧壁包括圆柱形深孔的侧壁，以及环形深槽的内、外侧壁；

所述绝缘层、粘附层和导电层填充满深孔和深槽结构，分别形成同轴的内、外垂直导电体；

P03：依次去除衬底上表面的导电层和粘附层；

P04：在衬底上表面制造与垂直导电体相连接的金属互连；

P05：从衬底下表面减薄衬底，直到圆形深孔或环形深槽内填充的金属导电层外露；

P06：在衬底下表面制造金属互连与垂直导电体相连；

至此，本发明的同轴垂直互连导电体制作完毕。

2.根据权利要求1所述的一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：所述绝缘层的实现方法为低温二氧化硅淀积、或者化学气相淀积、或者热氧化、或者喷涂、或者旋涂方法。

3.根据权利要求1所述的一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：所述金属互连的实现方法为反应离子刻蚀、或者化学湿法刻蚀、或者金属剥离、或者大马士革方法。

4.根据权利要求1所述的一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：所述粘附层的实现方法为溅射、或者物理气相淀积、或者原子层沉积。

5.根据权利要求1所述的一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：所述粘附层材料为钛、钽、钌、铱、钨、铬、镍、钼、氮化钛、氮化钽、钛钨、硅碳氮中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：所述导电层的实现方法为电镀、或者化学镀、或者溅射、或者化学气相淀积、或者物理气相淀积。

7.根据权利要求1所述的一种同轴垂直互连导电体的制作方法，其特征在于：所述减薄的实现方法为机械研磨、反应离子刻蚀、化学湿法刻蚀、化学机械抛光中的一种或多种。