[发明专利]电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310281864.0 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN103305802A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 刘茂立;王炜;王宏烈;孟淑文;陈世杰 申请(专利权)人: 北京东明兴业科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/14
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;赵镇勇
地址: 北京市怀柔区雁*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电子产品 金属表面 pvd 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法,其特征在于,包括金属基材,所述金属基材的表面沉积有多层金属或金属化合物薄膜,所述薄膜的厚度为0.1-3μm。

2.根据权利要求1所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法,其特征在于,所述薄膜的材料为以下至少一种金属或其化合物:钛、金、铜、铝、铬、锡。

3.根据权利要求2所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法,其特征在于,所述的金属基材为不锈钢板。

4.一种权利要求1、2或3所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,包括步骤:

A、选取待加工产品作为基材,并进行预处理;

B、利用磁控溅射镀膜机对预处理后的基材进行镀膜,具体包括:

首先,在120-200℃温度下对基材进行烘烤;

然后,在7×10-3Pa以上的真空状态下对基材进行离子清洗,清洗时间设定为5min-10min,离子清洗时的真空度降至6.5×10-1Pa—7.5×10-1Pa;

离子清洗完毕后,在6.5×10-3Pa以上的真空状态下对基材进行镀膜,镀膜时的真空度降至2.3×10-1Pa。

5.根据权利要求4所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,所述预处理步骤包括:

首先,用酒精、超声波对基材表面进行清洗;

然后,将产品组在专用工装夹具上,并挂在工装杆上;

之后,将挂满基材的工装杆放在移工车上,拉到除尘柜里,用静电除尘枪进行除尘。

6.根据权利要求5所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,所述烘烤步骤包括:

将除尘完毕的工装杆挂在磁控溅射镀膜机的台车上,先插下孔,再挂上孔;

转动台车,确认工装杆不会掉落或刮蹭靶面,关上镀膜机大门,并锁死;

按照磁控溅射镀膜机操作规程依次开启各种真空泵,进行抽真空;

打开基材加热装置对基材进行烘烤,设置温度为120-200℃。

7.根据权利要求6所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,所述离子清洗步骤包括:

在真空抽至7×10-3Pa以上时关闭光栅阀,打开台车转架开关,打开偏压电源,充入氩气形成等离子体,对基材进行离子清洗,偏压电源电压设定500V-700V,偏压电源占空比设定60%-70%,氩气流量设定为450-550Sccm,清洗时间设定为5min-10min,真空度降至6.5×10-1Pa—7.5×10-1Pa。

8.根据权利要求7所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,所述镀膜步骤包括:

离子清洗完毕后关闭偏压电源,停止充入氩气,打开光栅阀,待真空度抽到6.5×10-3Pa以上时,关闭光栅阀,打开台车转架开关,充入氩气和反应气体,打开偏压电源,打开镀膜所需靶材的中频电源,对基材进行镀膜,偏压电源电压设定80-180V,偏压电源占空比设定30-50%,中频电源电流设定15A-25A,氩气流量设定为150-180Sccm,反应气体流量根据膜系要求逐渐加入,镀膜时间根据膜系和膜厚要求设定,真空度降至2.3×10-1Pa;

镀膜完毕后按照磁控溅射镀膜机操作规程依次关闭各种泵阀,放气开门取出产品。

9.根据权利要求8所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,所述反应气体为氧气、乙炔、氮气中的一种或多种,所述静电除尘枪所用的静电发生器电压为7KV,所述磁控溅射镀膜机的抽高真空设备采用油扩散真空泵和低温捕集泵。

10.根据权利要求4至9任一项所述的电子产品金属表面PVD薄膜及其制备方法的制备方法,其特征在于,每层薄膜的厚度通过调节镀膜时间来控制,每种薄膜的颜色通过调节靶材的溅射功率和充入气体的分压来控制。

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