[发明专利]OLED面板及其封装方法有效
申请号: | 201310282099.4 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103337511B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 余威 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 及其 封装 方法 | ||
1.一种OLED面板,其特征在于,包括:基板(40)、形成于基板(40)上的数个OLED元件(42)、与基板(40)相对贴合设置的封装盖板(20)及设于基板(40)与封装盖板(20)之间且对应OLED元件(42)设置的数个密封胶框(60),所述封装盖板(20)对应数个OLED元件(42)设有数个凸起部(22),所述凸起部(22)周围形成有凹槽(24),所述密封胶框(60)位于所述凹槽(24)内,所述凸起部(22)的下表面接近OLED元件(42)的上表面。
2.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述封装盖板(20)由玻璃制成,所述凹槽(24)通过蚀刻制程形成。
3.如权利要求2所述的OLED面板,其特征在于,所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。
4.如权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述基板(40)为玻璃基板;所述OLED元件(42)包括:形成于基板(40)上的阳极(422)、形成于阳极(422)上的有机材料层(424)、及形成于有机材料层(424)上的阴极(428)。
5.一种OLED面板的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、提供封装盖板(20),所述封装盖板(20)设有数个凸起部(22),所述凸起部(22)周围形成有凹槽(24);
步骤2、将所述封装盖板(20)进行清洗烘干;
步骤3、在所述封装盖板(20)的凹槽(24)内对应数个凸起部(22)的外周缘涂布UV胶,该UV胶的厚度大于该凸起部(22)的高度;
步骤4、提供形成有OLED元件(42)的基板(40),所述OLED元件(42)对应所述封装盖板(20)的凸起部(22)设置;
步骤5、在氮气环境下将所述封装盖板(20)和所述基板(40)对位贴合,所述封装盖板(20)的凸起部(22)朝向所述基板(40),并通过紫外线照射固化UV胶形成密封胶框(60),从而完成OLED面板的封装。
6.如权利要求5所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述封装盖板(20)由玻璃基板制成,所述凹槽(24)通过蚀刻制程形成,所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。
7.如权利要求5所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述OLED元件(42)包括:形成于基板(40)上的阳极(422)、形成于阳极(422)上的有机材料层(424)、及形成于有机材料层(424)上的阴极(428)。
8.一种OLED面板的封装方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤101、提供封装盖板(20),所述封装盖板(20)设有数个凸起部(22),所述凸起部(22)周围形成有凹槽(24);
步骤102、将所述封装盖板(20)进行清洗烘干;
步骤103、在所述封装盖板(20)的凹槽(24)内对应数个凸起部(22)的外周缘涂布玻璃胶,该玻璃胶的厚度大于该凸起部(22)的高度,并在高温炉中烘烤,使玻璃胶硬化;
步骤104、在所述封装盖板(20)的最外侧边缘涂布一圈UV胶;
步骤105、提供形成有OLED元件(42)的基板(40),所述OLED元件(42)对应所述封装盖板(20)的凸起部(22)设置;
步骤106、在氮气环境下将所述封装盖板(20)和所述基板(40)对位贴合,所述封装盖板(20)的凸起部(22)朝向所述OLED基板(40),并通过紫外线照射固化UV胶;
步骤107、通过激光照射,使玻璃胶先熔化以粘合封装盖板(20)与基板(40)再固化形成密封胶框(60),从而完成OLED面板的封装。
9.如权利要求8所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述封装盖板(20)由玻璃基板制成,所述凹槽(24)通过蚀刻制程形成,所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。
10.如权利要求8所述的OLED面板的封装方法,其特征在于,所述OLED元件(42)包括:形成于基板(40)上的阳极(422)、形成于阳极(422)上的有机材料层(424)、及形成于有机材料层(424)上的阴极(428)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310282099.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的