[发明专利]OLED面板及其封装方法有效

专利信息
申请号: 201310282099.4 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN103337511B 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 余威 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 面板 及其 封装 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及平面显示领域,尤其涉及一种OLED面板及其封装方法。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)及有机发光显示装置(OLED,Organic Light Emitting Display)。

有机发光显示装置具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统液晶显示装置,被广泛应用于手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等电子产品上。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。但是由于有机材料对水汽和氧气很敏感,容易因水氧发生老化变性,亮度和寿命会出现明显衰减,因此作为基于有机材料的显示设备,OLED器件对封装的要求非常高。为了实现商业化的应用,OLED元件要求达到使用寿命(lifetime)大于或等于10,000小时;需满足水汽穿透率小于或等于10-6g/m2/day(天);氧气穿透率小于或等于10-5cc/m2/day(1atm)的封装效果的要求。由此可见封装是整个OLED器件生产过程中最重要的制程之一,是影响产品良率的关键。

现有的封装方式一般为在平板状的OLED封装盖板的周缘涂布密封胶框,然后OLED基板与其相对贴合,固化密封胶框完成封装,该OLED封装盖板、OLED基板及密封框之间形成一密闭空间,有机发光材料层密封于该密闭空间内。然而,该方式形成的OLED面板,OLED封装盖板与OLED基板之间存在一定间隙,该间隙宽度为微米级的宽度,而有机发光材料层的厚度为纳米级的厚度,该间隙的存在增大了残留水氧的可能,从而影响OLED面板的使用寿命。

如图1所示,为现有的一种OLED面板的局部剖视图,该OLED面板包括第一玻璃基板100、腐蚀槽200、玻璃料300、第二玻璃基板400、至少一个OLED元件500以及与该OLED元件500接触的至少一个电极600。玻璃料300位于第一、第二玻璃基板100、400之间,且位于OLED器件的外边缘之内,形成保护内部OLED元件500的气密式密封体。由于腐蚀槽200的设置,增强了玻璃料粘合第一、第二玻璃基板100、400的力度,从而提高了密封效果。然而,该密封方式所得到的OLED面板其第一、第二玻璃基板100、400之间仍存在较大的间隙,导致密封体内残留水氧的可能性增大,从而影响OLED面板的使用寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED面板,其结构简单,密封空间小,残留水氧量少,OLED面板的使用寿命长。

本发明的另一目的在于提供一种OLED面板的封装方法,密封效果好,密封空间水氧残留量少,有效延长OLED面板的使用寿命。

为实现上述目的,本发明提供一种OLED面板,包括:基板、形成于基板上的数个OLED元件、与基板相对贴合设置的封装盖板及设于基板与封装盖板之间且对应OLED元件设置的数个密封胶框,所述封装盖板对应数个OLED元件设有数个凸起部,所述凸起部周围形成有凹槽,所述密封胶框位于所述凹槽内,所述凸起部的下表面接近OLED元件的上表面。

所述封装盖板由玻璃制成,所述凹槽通过蚀刻制程形成。

所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。

所述基板为玻璃基板;所述OLED元件包括:形成于基板上的阳极、形成于阳极的有机材料层、及形成于有机材料层上的阴极。

本发明还提供一种OLED面板的封装方法,包括以下步骤:

步骤1、提供封装盖板,所述封装盖板设有数个凸起部,所述凸起部周围形成有凹槽;

步骤2、将所述封装盖板进行清洗烘干;

步骤3、在所述封装盖板的凹槽内对应数个凸起部的外周缘涂布UV胶,该UV胶的厚度大于该凸起部的高度;

步骤4、提供形成有OLED元件的基板,所述OLED元件对应所述封装盖板的凸起部设置;

步骤5、在氮气环境下将所述封装盖板和所述基板对位贴合,所述封装盖板的凸起部朝向所述基板,并通过紫外线照射固化UV胶形成密封胶框,从而完成OLED面板的封装。

所述封装盖板由玻璃基板制成,所述凹槽通过蚀刻制程形成,所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。

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