[发明专利]一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺

权利要求书

1.一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其特征在于，包括去膜清洗、管式PECVD镀膜、丝网印刷和烧结步骤；所述去膜清洗的具体分步骤为HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥；除水洗5分步骤外，其余各酸洗和水洗分步骤均需鼓泡。

2.按权利要求1所述的晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其特征在于，所述的HF去膜分步骤中采用质量浓度为15%~40%的HF溶液，反应时间为10~30分钟；所述的HCl酸洗分步骤中采用质量浓度为3%~10%的HCl溶液，浸泡时间为60~200s；所述的HF酸洗分步骤中采用质量浓度为3%~10%的HF溶液，浸泡时间为60-200s。

3.按权利要求1所述的晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其特征在于，所述的水洗1，水洗2，水洗3，水洗4和水洗5分步骤的水洗时间均在60~500s，所述的水洗5分步骤的温度控制在60℃以上。

4.按权利要求1所述的晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其特征在于，所述的干燥分步骤采用甩干的方法，甩干时间在300~600s。