[发明专利]一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺

说明书

技术领域

本发明属于晶体硅太阳能电池制造领域，特别是涉及一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，具体是指对等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）镀膜产生膜层颜色异常硅片进行的一种特殊处理方法。

背景技术

目前，晶硅太阳能电池已经越来越成熟，对太阳能电池的外观质量有更高的要求，膜层不均匀或异常被视为外观质量问题。因此，在做成成品电池片之前，必须要对此类硅片进行返工处理。色差片主要包括放电异常产生的彩虹片，片间颜色差异和卡点处发白的色差片，以及双面镀膜片和反镀片，这些硅片如果做成成品电池片将严重影响电池片的合格率，甚至导致电池片的报废。

在PECVD的返工片中主要为色差片，因此，解决电池片生产过程中PECVD产生的外观不良问题，可以有效的提高产品的合格率，从而降低生产成本。目前，已有的返工技术方案是将PECVD产生的各类返工片进行去膜，制绒，扩散，刻蚀，PECVD，丝网印刷和烧结等多个工序，工序多，耗时长，而且这种返工方法会产生大量花片，即亮片，它严重影响了电池片的外观和效率。因此，势必要有一种工序少，耗时短，不产生花片的返工方法来解决此类问题。

发明内容

本发明的目的就是为了解决现有技术之不足而提供一种工序少，耗时短，不产生花片的晶硅太阳电池PECVD色差片的返工方法。

本发明解决上述技术问题所采取的技术方案是，一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其包括去膜清洗、管式PECVD镀膜、丝网印刷和烧结步骤；所述去膜清洗的具体分步骤为HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸洗、水洗3、水洗4、水洗5和干燥；除水洗5分步骤外，其余各酸洗和水洗分步骤均需鼓泡。

作为一种优选，所述的HF去膜分步骤中采用质量浓度为15%~40%的HF溶液，反应时间为10~30分钟；所述的HCl酸洗分步骤中采用质量浓度为3%~10%的HCl溶液，浸泡时间为60~200s；所述的HF酸洗分步骤中采用质量浓度为3%~10%的HF溶液，浸泡时间为60~200s。

作为一种优选，所述的水洗1，水洗2，水洗3，水洗4和水洗5分步骤的水洗时间均在60~500s，所述的水洗5分步骤的温度控制在60℃以上。

作为一各种优选，所述的干燥分步骤采用甩干的方法，甩干时间在300~600s。

本发明所针对的返工片类型包括：放电异常产生的彩虹片，片间颜色差异和卡点处发白的色差片，以及双面镀膜片和反镀片。去膜清洗步骤中，酸洗和水洗在各自的洗槽进行，除了水洗5槽不用鼓泡以外，其余各酸洗槽和水洗槽均开启鼓泡功能。

本发明中，HF去膜分步骤的作用在于去除硅片表面的氮化硅膜层； HCl酸洗分步骤的作用在于去除硅片表面的金属离子，使硅片表面更加干净； HF酸洗分步骤的作用在于使硅片表面具有疏水性，易于脱水；水洗1，水洗2，水洗3，水洗4和水洗5分步骤的作用分别为清洗硅片表面去膜反应物，清洗硅片残留的HCl，清洗硅片残留的HF，进一步清洗硅片表面以及增加硅片的脱水性。

本发明中，清洗后硅片的干燥采用甩干方法，根据甩干设备的具体情况，甩干时间可以在300~600s，使硅片表面完全干燥。将甩干后的硅片直接采用管式PECVD镀膜，然后丝网印刷正反电极和背场，最后进行烧结，形成成品电池片。

本发明改进了传统返工方法，减少了制绒、扩散以及刻蚀等步骤，降低了生产成本。返工后的硅片表面干净，电池片的转换效率和合格率接近正常水平，外观正常，未产生花片。

附图说明

图1为本发明工艺流程示意图。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明技术方案作进一步说明，但是本发明并不局限于此。在阅读了本发明记载的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，但这些等效变化和修饰同样落入本发明权利要求所限定的范围。

实施例1：

如图1所示，一种晶硅太阳电池PECVD色差片去膜重镀的返工工艺，其步骤包括去膜清洗、PECVD、丝网印刷和烧结，其中去膜清洗具体包括HF去膜、水洗1、HCl酸洗、水洗2、HF酸、洗水洗3、水洗4、水洗5和干燥分步骤。具体实施过程如下：