[发明专利]一种在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法无效
| 申请号： | 201310284190.X | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN103318891A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 邓承继;祝洪喜;丁军;员文杰;李君;王康磊 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 生物 模板 生成 碳化硅 纳米 方法 | ||
1.一种在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法，先将20~40wt%的含硅源物质和60~80wt%的工业级盐在行星式球磨机上混合，混合10~60分钟，再在110℃的条件下干燥12小时，制得混合粉体；然后将多孔生物炭模板置入混合粉体中，在氩气气氛和1250~1400℃条件下保温2~10小时，自然冷却，最后以水为溶剂将盐溶出，得到在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线。
2.根据权利要求1所述的在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法，其特征在于所述含硅源物质为SiO2粉或为Si粉；SiO2粉和Si粉的粒径小于20 μm，Si粉和SiO2粉的纯度≥90wt%。
3.根据权利要求1所述的在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法，其特征在于所述的工业级盐为NaF粉与NaCl粉的混合物、或为KF粉与NaCl粉的混合物；其中，NaCl粉、NaF粉和KF粉的纯度≥99wt%。
4.根据权利要求1所述的在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法，其特征在于所述的多孔生物炭模板的制备方法是：先将原木置入管式炉中，在惰性气氛保护下升温到600~800℃，保温1~3小时；然后再升温至900~1200℃，保温1~3小时，随炉冷却，制得多孔生物炭模板。
5.根据权利要求1所述的在多孔生物炭模板上生成一维碳化硅纳米线的方法，其特征在于所述的氩气纯度＞99wt%。
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