[发明专利]具有多个引线框架的半导体封装及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201310286049.3 申请日: 2013-07-09
公开(公告)号: CN103545283A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: J.霍伊格劳尔;R.奥特雷巴;K.施伊斯;X.施洛伊格;J.施雷德 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 胡莉莉;刘春元
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 具有 引线 框架 半导体 封装 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,其包括:

第一引线框架;

被部署在第一引线框架之上的第二引线框架,而第二引线框架具有管芯踏板和多个引线;以及

被部署在第二引线框架之上的半导体芯片,而半导体芯片耦合到多个引线。

2.根据权利要求1所述的封装,其中,

半导体芯片包括在第一侧上的第一接触区域、在第一侧上的第二接触区域、和在第二侧上的第三接触区域,而第二侧与第一侧相对。

3.根据权利要求2所述的封装,其中,

半导体芯片的第一侧面向第二引线框架。

4.根据权利要求1所述的封装,其中,

第一引线框架比第二引线框架厚。

5.根据权利要求1所述的封装,其中,

半导体芯片包括垂直功率半导体芯片。

6.根据权利要求1所述的封装,其中,

半导体芯片与第一引线框架电绝缘。

7.根据权利要求1所述的封装,其中,

半导体芯片包括具有在第一侧上的源极区域、在第一侧上的栅极区域、在第二侧上的漏极区域的垂直晶体管,其中第二侧与第一侧相对。

8.根据权利要求7所述的封装,其中,

第二引线框架包括耦合到源极区域的管芯踏板,其中多个引线包括耦合到管芯踏板的源极引线、耦合到漏极区域的漏极引线和耦合到栅极区域的栅极引线。

9.根据权利要求1所述的封装,其中,

半导体芯片的主要表面由管芯踏板和多个引线中的至少一个引线来支撑。

10.根据权利要求1所述的封装,进一步包括:

部署在第一引线框架、第二引线框架和半导体芯片处的灌封,其中灌封具有部署在多个引线处的薄部。

11.一种半导体封装,其包括:

具有第一管芯踏板的第一引线框架;

第二引线框架,而第二引线框架具有第二管芯踏板和多个引线,第二管芯踏板被部署在第一管芯踏板之上;以及

被部署在第二管芯踏板之上的半导体芯片,而半导体芯片在面向第二引线框架的第一侧上具有多个接触区域,而多个接触区域被耦合到多个引线。

12.根据权利要求11所述的封装,其中,

半导体芯片具有相对于第一侧的第二侧,其中第二侧包括接触区域,其中在第二侧上的接触区域被耦合到多个引线中的引线。

13.根据权利要求11所述的封装,进一步包括:

被部署在第一引线框架、第二引线框架和半导体芯片处的灌封。

14.根据权利要求13所述的封装,其中,

灌封具有被部署在多个引线处的薄部。

15.根据权利要求14所述的封装,其中,

灌封具有第一侧壁和第二侧壁,以致形成薄部,并且其中第一侧壁被定位在第一管芯踏板和多个引线之间。

16.根据权利要求14所述的封装,其中,

灌封具有第一侧壁和第二侧壁,以致形成薄部,并且其中第一侧壁被定位在第二管芯踏板和多个引线之间。

17.根据权利要求14所述的封装,其中,

薄部具有第一厚度,其中第一管芯踏板具有第二厚度,并且其中第一厚度是第二厚度的大约10%到大约60%。

18.根据权利要求14所述的封装,其中,

半导体芯片包括垂直晶体管,而多个接触区域具有在第一侧上的源极区域和在第一侧上的栅极区域,其中垂直晶体管包括在第二侧上的漏极区域,并且其中第二侧与第一侧相对。

19.根据权利要求18所述的封装,其中,

第二管芯踏板被耦合到源极区域,其中多个引线包括耦合到第二管芯踏板的源极引线、耦合到漏极区域的漏极引线和耦合到栅极区域的栅极引线。

20.根据权利要求14所述的封装,其中,

半导体芯片的主要表面由第二管芯踏板和多个引线中的至少一个引线来支撑。

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