[发明专利]有源元件基板与其制作方法及显示器的制作方法有效
申请号: | 201310286554.8 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN103337480A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 柯聪盈 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;张龙哺 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 元件 与其 制作方法 显示器 | ||
1.一种有源元件基板,包含:
一可挠性基板,具有相对的一第一表面与一第二表面,其中该第一表面为一平坦表面;
一无机离型层,覆盖该可挠性基板的该第一表面,其中该无机离型层的材质为金属、金属氧化物或上述组合;以及
至少一有源元件,位于该可挠性基板的该第二表面上。
2.如权利要求1所述的有源元件基板,其中该无机离型层的材质为金属,且该无机离型层的厚度为约0.001至1微米,其中该无机离型层的材质为金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、铅(Pd)、铑(Rh)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、锡(Sn)或上述组合。
3.如权利要求1所述的有源元件基板,其中该无机离型层的材质为金属氧化物,且该无机离型层的厚度为约0.001至1微米,其中该无机离型层的材质为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN、In2O3:Sn(ITO)、ZnO:In(IZO)、ZnO:Ga(GZO)、ZnO:Al(AZO)、SnO2:F、TiO2:Ta、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4或上述组合。
4.如权利要求1所述的有源元件基板,其中该可挠性基板的材质为聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚酰亚胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并恶唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚对苯二甲酰对苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)或上述组合,其中该无机离型层全面覆盖该可挠性基板的该第一表面。
5.一种有源元件基板的制作方法,包含:
提供一载板;
形成一有机离型层于该载板上;
形成一无机离型层于该有机离型层上,其中该无机离型层的材质为金属、金属氧化物或上述组合;
形成一可挠性基板于该无机离型层上,其中该可挠性基板与该无机离型层邻接的一面为一平坦表面;以及
形成至少一有源元件于该可挠性基板上。
6.如权利要求5所述的制作方法,还包含:
切割该可挠性基板与该无机离型层,以形成包含该无机离型层、该可挠性基板与该有源元件的一叠层结构;以及
分开该有机离型层与该无机离型层。
7.如权利要求6所述的制作方法,还包含:
切割该有机离型层。
8.如权利要求5所述的制作方法,其中该有机离型层的形成方法为物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋转涂布法、网版印刷法或喷墨涂布法,其中该有机离型层的材质为聚对二甲苯(Parylene)、硅烷(Silane)、硅氧烷(Siloxane)、硅氟烷(FAS)或上述组合,其中该无机离型层的形成方法为物理气相沉积法、化学气相沉积法或溅镀法,该制作方法还包含:
在形成该无机离型层前,对该有机离型层进行加热退火。
9.一种显示器的制作方法,包含:
如权利要求5所述的有源元件基板的制作方法;以及
形成至少一显示元件于该至少一有源元件上。
10.如权利要求9所述的制作方法,其中于形成该至少一显示元件于该至少一有源元件上的步骤前或形成该至少一显示元件于该至少一有源元件上的步骤后,还包含切割该可挠性基板与该无机离型层以分开该有机离型层与该无机离型层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造