[发明专利]有源元件基板与其制作方法及显示器的制作方法有效
申请号: | 201310286554.8 | 申请日: | 2013-07-09 |
公开(公告)号: | CN103337480A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 柯聪盈 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;张龙哺 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 元件 与其 制作方法 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有源元件基板。
背景技术
近年来,业界推出了以可挠性材料作为有源元件基板材质的显示器,由于这种显示器本身可弯折,因此可用来取代传统的纸张或广告看板。
由于有源元件基板的材质具可挠性,因此为了方便工艺进行,制造者需要将可挠性基板固定在玻璃载板上后再形成有源元件,最后再将可挠性基板自玻璃载板剥离,即完成有源元件基板。然而当剥离可挠性基板时,可挠性基板与玻璃载板之间的吸附力可能会导致可挠性基板不易剥离,甚至可能会产生有源元件受损等状况,因此如何改善有源元件基板的剥离工艺成为业界需解决的问题之一。
发明内容
为克服现有技术的缺陷,本发明提供一种有源元件基板,包含可挠性基板、无机离型层(de-bonding layer)及至少一有源元件。可挠性基板具有相对的第一表面与第二表面,其中第一表面为平坦表面。无机离型层覆盖可挠性基板的第一表面。无机离型层的材质为金属、金属氧化物或上述组合。有源元件位于可挠性基板的第二表面上。
在一或多个实施方式中,无机离型层的材质为金属,且无机离型层的厚度为约0.001至1微米,其中无机离型层的材质为金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、铅(Pd)、铑(Rh)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、锡(Sn)或上述组合。
在一个或多个实施方式中,无机离型层的材质为金属氧化物,且无机离型层的厚度为约0.001至1微米,其中无机离型层的材质为In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN、In2O3:Sn(ITO)、ZnO:In(IZO)、ZnO:Ga(GZO)、ZnO:Al(AZO)、SnO2:F、TiO2:Ta、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4或上述组合。
在一个或多个实施方式中,可挠性基板的材质为聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚原冰烯(polynorbornene,PNB)、聚醚酰亚胺(polyetherimide,PEI)、聚苯并咪唑(poly(p-phenylene benzobisimidazole),PBI)、聚苯并恶唑(poly(p-phenylene benzobisoxazole),PBO)、聚对苯二甲酰对苯二胺(poly(p-phenylene terephthalamide),PPTA)或上述组合。
本发明的另一态样提供一种有源元件基板的制作方法,包含下列步骤(应了解到,在本实施方式中所提及的步骤,除特别叙明其顺序的之外,均可依实际需要调整其前后顺序,甚至可同时或部分同时执行):提供载板;形成有机离型层于载板上;形成无机离型层于有机离型层上,其中无机离型层的材质为金属、金属氧化物或上述组合;形成可挠性基板于无机离型层上,其中可挠性基板与无机离型层邻接的一面为平坦表面;以及形成至少一有源元件于可挠性基板上。
在一个或多个实施方式中,上述的制作方法还包含切割可挠性基板与无机离型层,以形成包含无机离型层、可挠性基板与有源元件的叠层结构;以及分开无机离型层与有机离型层。
在一个或多个实施方式中,上述的制作方法还包含切割有机离型层。
在一个或多个实施方式中,有机离型层的形成方法为物理气相沉积法、化学气相沉积法、旋转涂布法、网版印刷法或喷墨涂布法。有机离型层的材质为聚对二甲苯(Parylene)、硅烷(Silane)、硅氧烷(Siloxane)、硅氟烷(FAS)或上述组合,无机离型层的形成方法为物理气相沉积法、化学气相沉积法或溅镀法,上述的制作方法还包含在形成无机离型层前,对有机离型层进行加热退火。
本发明的再一态样提供一种显示器的制作方法,包含上述的有源元件基板的制作方法,以及形成至少一显示元件于至少一有源元件上。
在一个或多个实施方式中,于形成显示元件于有源元件上的步骤前或形成显示元件于有源元件上的步骤后,还包含切割可挠性基板与无机离型层以分开有机离型层与无机离型层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造