[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：形成在基板上的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极连接的多个条状像素电极、和与所述多个条状像素电极对置的公共电极，其特征在于，所述漏极形成有沿多个条状像素电极的排列方向延伸的延伸部，每个所述条状像素电极均直接连接所述延伸部，且所述公共电极在所述基板上的投影和所述漏极在所述基板上的投影不交叠。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为块状电极，位于所述漏极的远离所述基板的一侧，与所述漏极之间间隔有绝缘间隔层；

所述多个条状像素电极位于所述公共电极的远离所述基板的一侧，所述多个条状像素电极和公共电极之间间隔有钝化层，所述多个条状像素电极通过穿过所述绝缘间隔层和所述钝化层的过孔连接所述漏极的延伸部。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘间隔层的厚度不小于1μm。

4.如权利要求1～3中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

5.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括薄膜晶体管，使所述薄膜晶体管的漏极沿待形成的多个条状像素电极的排列方向延伸，以形成延伸部；

形成包括公共电极和多个条状像素电极的图形。

6.如权利要求5所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成包括公共电极和多个条状像素电极的图形的步骤具体包括：

在形成有所述薄膜晶体管的基板上形成绝缘间隔层；

在所述绝缘间隔层上形成包括公共电极的图形，使所述公共电极在所述基板上的投影和所述漏极在所述基板上的投影不交叠；

在所述公共电极上形成钝化层，且在所述多个条状像素电极与所述漏极的延伸部连接的区域形成穿过所述钝化层和所述绝缘间隔层的过孔；

形成包括多个条状像素电极的图形，使所述多个条状像素电极通过所述过孔连接所述漏极的延伸部。

7.如权利要求5所述的阵列基板制作方法，其特征在于，形成包括公共电极和多个条状像素电极的图形的步骤具体包括：

在形成所述薄膜晶体管的基板上形成绝缘间隔层，且在所述绝缘间隔层上对应所述多个条状像素电极与所述漏极的延伸部连接的区域形成穿过所述绝缘间隔层的第一过孔；

在所述绝缘间隔层上形成包括公共电极的图形，使公共电极在所述基板上的投影和所述漏极在所述基板上的投影不交叠，且在所述第一过孔中形成连接所述漏极的延伸部的连接电极；

在公共电极上形成钝化层，且所述第一过孔对应区域形成穿过所述钝化层的第二过孔；

形成包括多个条状像素电极的图形，使所述多个条状像素电极通过所述第二过孔连接所述连接电极，从而连接所述漏极的延伸部。

8.如权利要求6或7所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述绝缘间隔层的厚度不小于1μm。

9.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～4中任一项所述的阵列基板。