[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

目前，随着技术的不断发展进步和用户需求的不断提高，宽视角化成为薄膜晶体管液晶显示器（TFT LCD）发展的一大趋势。目前薄膜晶体管显示器宽视角技术主要包括：像素分割、光学补偿膜、共面开关模式（IPS）、边缘场开关模式（FFS）、高级超维场转换技术（ADS）等。与其它技术相比，高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，ADS）具有高开口率的优点，有效解决了广视角技术中的低亮度问题。ADS是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

低温多晶硅LTPS-LCD结合宽视角技术由于其较佳的品质，产品覆盖手机、PDA、数码像机、笔记本电脑、汽车导航系统等多种高端智能移动互联产品。

以LTPS-TFT阵列基板为例，利用像素电极层和公共电极层在通电状态下所形成的电场实现液晶分子的控制。如图1a和1b所示，包括：玻璃基板101、缓冲层102、P-Si层103、掺杂部分104、轻掺杂部分105、栅极绝缘层106、栅电极107、中间绝缘层108、漏极109、源极115、有机层110、公共电极111、钝化层112及多个条状像素电极113。该结构中，传统结构中多个条状像素电极113通过同层透明氧化物材料的连接条113＇（连接条和多个条状像素电极113一体形成）连接，该连接条113＇和公共电极111存在交叠区域，交叠区域会产生与控制液晶偏转的电场方向不一致的干扰电场，如图1a中虚线框区域所示，在该区域存在沿图1a中纵向分布的干扰电场会导致该区域的液晶分子排列异常，导致透过率降低，同时屏幕受外力按压后易产生显示不均匀的现象（Trace Mura）。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何避免多个条状像素电极的连接条和公共电极之间产生的与控制液晶偏转的电场方向不一致的干扰电场导致的透过率降低的问题。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括：形成在基板上的薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管的漏极连接的多个条状像素电极、和与所述多个条状像素电极对置的公共电极，所述漏极形成有沿多个条状像素电极的排列方向延伸的延伸部，每个所述条状像素电极均直接连接所述延伸部，且所述公共电极在所述基板上的投影和所述漏极在所述基板上的投影不交叠。

其中，所述公共电极为块状电极，位于所述漏极的远离所述基板的一侧，与所述漏极之间间隔有绝缘间隔层；

所述多个条状像素电极位于所述公共电极的远离所述基板的一侧，所述多个条状像素电极和公共电极之间间隔有钝化层，所述多个条状像素电极通过穿过所述绝缘间隔层和所述钝化层的过孔连接所述漏极的延伸部。

其中，所述绝缘间隔层的厚度不小于1μm。

其中，所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。

本发明还提供了一种阵列基板制作方法，包括：

在基板上形成包括薄膜晶体管，使所述薄膜晶体管的漏极沿待形成的多个条状像素电极的排列方向延伸，以形成延伸部；

形成包括公共电极和多个条状像素电极的图形。

其中，所述形成包括公共电极和多个条状像素电极的图形的步骤具体包括：

在形成有所述薄膜晶体管的基板上形成绝缘间隔层；

在所述绝缘间隔层上形成包括公共电极的图形，使所述公共电极在所述基板上的投影和所述漏极在所述基板上的投影不交叠；

在所述公共电极上形成钝化层，且在所述多个条状像素电极与所述漏极的延伸部连接的区域形成穿过所述钝化层和所述绝缘间隔层的过孔；

形成包括多个条状像素电极的图形，使所述多个条状像素电极通过所述过孔连接所述漏极的延伸部。

其中，形成包括公共电极和多个条状像素电极的图形的步骤具体包括：

在形成所述薄膜晶体管的基板上形成绝缘间隔层，且在所述绝缘间隔层上对应所述多个条状像素电极与所述漏极的延伸部连接的区域形成穿过所述绝缘间隔层的第一过孔；