[发明专利]利用光二聚化学作用的光致抗蚀剂和使用该光致抗蚀剂的有机发光二极管显示器的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年11月30日递交的韩国专利申请第10-2012-0138223号的优先权，其整体以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明涉及利用光二聚化学作用的高度氟化的光致抗蚀剂和使用所述光致抗蚀剂的有机发光二极管显示器的制造方法。

背景技术

如今，为了克服阴极射线管诸如重量体积较大等诸多缺陷而开发出各种平板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置（或LCD）、场发射显示器（或FED）、等离子体显示面板（或PDP）和电致发光器件（或EL）。

图1是描述现有技术的有机发光二极管显示器（或OLED）的结构的平面图，该显示器具有薄膜晶体管等有源开关元件。图2是描述图1所示的现有技术的OLED沿截线I-I’的结构的截面图。

参考图1和2，OLED显示器包括具有薄膜晶体管ST和DT的薄膜晶体管(或TFT)基板，与薄膜晶体管ST和DT连接并由其驱动的有机发光二极管OLED，以及经其中的有机粘合剂POLY(未示出)而与TFT基板接合的上盖ENC。TFT基板包括开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT和与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。

在透明基板SUB上形成开关薄膜晶体管ST，其中栅极线GL与数据线DL相互交叉。开关薄膜晶体管ST选择与开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括由栅极线GL分枝出的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT驱动布置在由开关薄膜晶体管ST选定的像素处的有机发光二极管OLED的阳极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体沟道层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS和漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。

作为一个实例，图2示出了具有顶栅结构的薄膜晶体管。在该情况中，在基板SUB上首先形成开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的半导体沟道层SA和DA，以及覆盖它们的栅绝缘层GI，然后在其上通过与半导体沟道层SA和DA的中心部分重叠而形成栅极SG和DG。随后，在半导体沟道层SA和DA的两侧，源极SS和DS以及漏极SD和DD通过穿透绝缘层IN的接触孔而与其连接。在绝缘层IN上形成源极SS和DS以及漏极SD和DD。

另外，在其中设置有像素区域的显示区周围的外部区域，排列有形成于栅极线GL一端的栅焊盘GP、形成于数据线DL一端的数据焊盘DP和形成于驱动电流线VDD一端的驱动电流焊盘VDP。设置钝化层PAS以覆盖具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB的整个上表面。随后，形成接触孔以使栅极焊盘GP、数据焊盘DP、驱动电流焊盘VDP和驱动薄膜晶体管DT的漏极DD露出。在基板SUB内的显示区上涂覆平面层PL。平面层PL使得基板SUB的上表面的粗糙度处于更平滑的状态，从而在平滑且平坦的表面状态的基板SUB上涂覆构成有机发光二极管的有机材料。

在平面层PL上形成阳极ANO，以通过一个接触孔与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接。另一方面，在不具有平面层PL的显示区的外部区域处形成分别与通过接触孔而露出的栅焊盘GP、数据焊盘DP和驱动电流焊盘VDP连接的栅焊盘电极GPT、数据焊盘电极DPT和驱动电流电极VDPT。在基板SUB上形成覆盖显示区的除像素区之外的其他区域的岸壁(bank)BA。最后，在部分岸壁BA上可以形成间隔物SP。

上盖ENC与TFT基板接合。在该情况中，优选的是，通过使TFT基板和上盖ENC之间存在有机粘合剂而使二者完全密封。栅焊盘电极GPT和数据焊盘电极DPT露出，并且可以经由各种连接手段而与外部装置相连。

随着对有机发光二极管显示器的需求增多，并且正开发出更为先进的制造技术，使得用于高分辨率和大面积的有机发光二极管显示器的技术变得发展不足。迄今为止，已有了一些方法用于在大型玻璃基板上形成有机发光二极管，即，精细金属掩模（或FMM）图案化技术、喷墨印刷技术和激光图案化技术。作为制造大面积有机发光二极管显示器的替代性方法，还可以使用沉积一个大型白色有机发光二极管层并带有图案化滤色层的方法。