[发明专利]集成电路的接触孔制造方法有效
| 申请号： | 201310294302.X | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104282622B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;石金成;文燕;高振杰;王焜 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100000 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 接触 制造 方法 | ||
1.一种集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，包括：
在集成电路的衬底上形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；
在集成电路上淀积介质层，并利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上分别形成接触孔；
对所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔表面注入三族元素离子；其中，注入的所述三族元素离子浓度为1E14～1E15原子/平方厘米；
在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔中形成钛金属层，并通过第一快速热退火工艺在所述接触孔中生成金属硅化物；
所述在集成电路的底衬上形成N型重掺杂区和P型重掺杂区包括：
在集成电路上完成N型重掺杂和P型重掺杂，采用第二快速热退火工艺激活N型重掺杂离子和P型重掺杂离子，以形成N型重掺杂区和P型重掺杂区；
在所述集成电路上淀积介质层之后，利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上分别形成接触孔之前还包括：
采用高温回流工艺再次激活N型重掺杂离子和P型重掺杂离子；
对所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上形成的接触孔表面注入三族元素离子之后，在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区形成的接触孔中形成钛金属层之前还包括：
对所述接触孔表面进行第三快速热退火工艺处理。
2.根据权利要求1所述的集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，所述第一快速热退火工艺的温度范围为600～850摄氏度，持续时间20～100秒钟。
3.根据权利要求1所述的集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，所述第二快速热退火工艺的温度范围为960～1150摄氏度，持续时间30～180秒钟。
4.根据权利要求1所述的集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，所述高温回流工艺的温度范围为800～950摄氏度，持续时间30～90分钟。
5.根据权利要求1或2任一所述的集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，在所述N型重掺杂区和P型重掺杂区上分别形成接触孔之后，对所述接触孔表面注入三族元素离子之前还包括：
对所述接触孔表面进行软刻蚀处理。
6.根据权利要求1所述的集成电路的接触孔制造方法，其特征在于，所述第三快速热退火工艺的温度范围为750～1150摄氏度，持续时间20～180秒钟。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
