[发明专利]多阶存储器的操作方法有效
| 申请号： | 201310297867.3 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104299641B | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 操作方法 | ||
1.一种多阶存储器的操作方法，适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的一多阶存储器，其中该多阶存储器的多个电平对应到不同的电流值，该多阶存储器包括一衬底、一控制栅极、位于该衬底与该控制栅极之间的一电荷储存层以及位于该控制栅极两侧的该衬底中的多个掺杂区，该多阶存储器的操作方法包括：
对该控制栅极任一侧的该衬底中的该掺杂区施加低于一标准读取电压的一第一读取电压，以判断该第一储存位置与该第二储存位置的电平是否皆为一最低电平；其中该第一读取电压为该标准读取电压的1/2至2/3；
当该第一储存位置与该第二储存位置的电平皆非该最低电平时，对邻近于该第一储存位置的该掺杂区施加一低于该标准读取电压的一第二读取电压，以判断该第二储存位置的电平；其中该第二读取电压为该标准读取电压的1/2至2/3。
2.根据权利要求1所述的多阶存储器的操作方法，若该第二储存位置的电平为该最低电平，则对邻近于该第二储存位置的该掺杂区施加低于该标准读取电压的一第三读取电压，以判断该第一储存位置的电平。
3.根据权利要求1所述的多阶存储器的操作方法，若该第二储存位置的电平不为该最低电平，则对邻近于该第二储存位置的该掺杂区施加该标准读取电压，以判断该第一储存位置的电平。
4.根据权利要求1所述的多阶存储器的操作方法，当对该控制栅极任一侧的该掺杂区施加该第一读取电压且所读取到的电流值为最大时，判断该第一储存位置与该第二储存位置的电平皆为该最低电平。
5.根据权利要求2所述的多阶存储器的操作方法，其中该第三读取电压为该标准读取电压的1/2至2/3。
6.根据权利要求1所述的多阶存储器的操作方法，其中该标准读取电压为1.1V至1.8V。
7.根据权利要求1所述的多阶存储器的操作方法，其中该第一读取电压为0.5V至1.1V。
8.根据权利要求1所述的多阶存储器的操作方法，其中该第二读取电压为0.5V至1.1V。
9.根据权利要求2所述的多阶存储器的操作方法，其中该第三读取电压为0.5V至1.1V。
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