[发明专利]多阶存储器的操作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器的操作方法，且特别是有关于一种多阶存储器的操作方法。

背景技术

随着计算机的应用软件逐渐庞大，所需的存储器容量也就愈来愈大，因此用于储存1位或是2位的存储器元件已无法满足现今的需求。近年来，可储存多位数据的多阶存储器(Multi-Level Memory)已成为最具发展潜力的存储器元件。

一般而言，在多阶存储器具有两个储存位置的情况下，当要判断一储存位置的电平时，通常会对邻近另一储存位置的掺杂区施加一标准读取电压。然而，当邻近施加有电压的掺杂区的储存位置未储存电荷时，亦即该储存位置的电平为最低电平时，施加标准读取电压后所产生的电流会导致严重的读取干扰(read disturbance)，进而影响读取电平的准确性。此外，在两个储存位置都未储存电荷时，亦即两个储存位置的电平皆为最低电平时，上述读取干扰的现象尤其严重。

发明内容

本发明提供一种多阶存储器的操作方法，其可避免因读取干扰而对读取操作造成影响。

本发明的多阶存储器的操作方法适用于具有第一储存位置与第二储存位置的多阶存储器，其中该多阶存储器的多个电平对应到不同的电流值，且该多阶存储器包括衬底、控制栅极、位于衬底与控制栅极之间的电荷储存层，以及位于控制栅极两侧的衬底中的多个掺杂区。此多阶存储器的操作方法包括以下步骤。对控制栅极任一侧的掺杂区施加低于标准读取电压的较低读取电压，以判断第一储存位置与第二储存位置的电平是否皆为最低电平。

在本发明的一实施例中，当第一储存位置与第二储存位置的电平皆非最低电平时，对邻近于第一储存位置的掺杂区施加一低于标准读取电压的第二读取电压，以判断第二储存位置的电平。

在本发明的一实施例中，若上述第二储存位置的电平为最低电平，则对邻近于第二储存位置的掺杂区施加低于标准读取电压的第三读取电压，以判断第一储存位置的电平。

在本发明的一实施例中，若上述第二储存位置的电平不为最低电平，则对邻近于第二储存位置的掺杂区施加标准读取电压，以判断第一储存位置的电平。

在本发明的一实施例中，当对控制栅极任一侧的掺杂区施加较低读取电压且所读取到的电流值为最大时，判断第一储存位置与第二储存位置的电平皆为最低电平。

在本发明的一实施例中，上述的第一读取电压为标准读取电压的1/2至2/3。

在本发明的一实施例中，上述的第二读取电压为标准读取电压的1/2至2/3。

在本发明的一实施例中，上述的第三读取电压为标准读取电压的1/2至2/3。

在本发明的一实施例中，上述的标准读取电压为1.1V至1.8V。

在本发明的一实施例中，上述的第一读取电压为0.5V至1.1V。

在本发明的一实施例中，上述的第二读取电压为0.5V至1.1V。

在本发明的一实施例中，上述的第三读取电压为0.5V至1.1V。

基于上述，在本发明所提出的多阶存储器的操作方法中，先以低于一般常用的标准读取电压的读取电压来进行读取操作以排除第一储存位置与第二储存位置的电平皆为最低电平的情况，然后再同样以低于一般常用的标准读取电压的读取电压判断第二储存位置的电平，并针对该电平调整第一储存位置的读取电压，以在可避免读取干扰对读取操作造成影响的情况下读取第一储存位置的电平。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明的一实施例的多阶存储器的示意图。

图2是本发明一实施例的多阶存储器的操作流程图。

图3A至图3D分别是于图2的不同操作步骤中的多阶存储器的示意图。

【符号说明】

100：多阶存储器

102：衬底

104：底氧化层

106：氮化硅层

108：顶氧化层

110：控制栅极

112、114：掺杂区

120：电荷储存层

P1、P2：储存位置

S200、S300、S400、S500：步骤

具体实施方式

本发明提出一种多阶存储器的操作方法，可以避免因读取干扰而对读取操作造成影响。所述操作方法适用于具有两个储存位置的多阶存储器，其详细说明如下。

图1是本发明的一实施例的多阶存储器的示意图。