[发明专利]用于机械和电封装体衬底问题缓解的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201310300315.3 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN103579163B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: E·罗特姆 申请(专利权)人: 马维尔以色列(MISL)有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 酆迅,张宁
地址: 以色列*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 机械 封装 衬底 问题 缓解 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种集成电路封装体,包括:

多个电接触,被配置为提供用于将所述集成电路封装体电连接到印刷电路板的结构;以及

封装体衬底,包括:

至少一个图案化的金属层,形成为将集成电路的I/O接触电互连到所述多个电接触;以及具有多个空部的至少一个总体均匀的金属层,所述多个空部分别定位成与所述电接触中的对应的电接触轴向对准;

一个或多个电介质层,设置于所述多个电接触与所述至少一个总体均匀的金属层之间;以及

多个金属元件,设置于所述多个空部内,每个金属元件与(i)所述集成电路封装体的所有其它部分以及(ii)所述印刷电路板的所有部分电隔离,所述多个金属元件与所述总体均匀的金属层共面,所述金属元件的尺度被定制为减小相应空部的物理尺寸而不与所述总体均匀的金属层电接触。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其中所述多个金属元件为环形。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其中所述多个电接触包括球状接触阵列。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其中所述总体均匀的金属层和所述多个金属元件从沉积于所述电介质层中的一个电介质层上的单个金属层形成。

5.根据权利要求4所述的集成电路封装体,其中第一尺寸的第一空部部分通过烧蚀或蚀刻形成于所述总体均匀的金属层中以便定位成在所述衬底中与对应的电接触轴向对准,并且与所述第一空部部分共轴定位并且具有比第一空部部分小的中心至边缘距离的隔离环形式的金属元件通过烧蚀或蚀刻形成于所述总体均匀的金属层中,以限定与所述总体均匀的金属层电隔离的空部内环状元件。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其中所述总体均匀的金属层形成用于所述集成电路封装的接地平面或电源平面之一。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其中所述至少一个总体均匀金属层是第一总体均匀的金属层,所述集成电路封装体还包括:

具有多个第二空部的第二总体均匀的金属层,所述多个第二空部分别定位成与所述电接触中的对应电接触轴向对准,所述多个第二空部相应地定位成与所述第一总体均匀的金属层的对应空部轴线对准,所述第二空部中的每个第二空部具有与所述第一总体均匀的金属层的对应空部的尺寸相等的尺寸;以及

多个第二金属元件,设置于所述多个第二空部内,每个第二金属元件与(i)所述集成电路封装体的所有其它部分以及(ii)所述印刷电路板的所有部分电隔离,所述多个第二金属元件与所述第二总体均匀的金属层共面,所述第二金属元件被配置为减小相应第二空部的物理尺寸而不与所述第二总体均匀的金属层电接触。

8.根据权利要求7所述的集成电路封装体,其中所述第一总体均匀的金属层形成电源平面,并且其中所述第二总体均匀的金属层形成所述集成电路封装体的接地平面。

9.根据权利要求1所述的集成电路封装体,其中相比没有所述多个金属元件的第二集成电路封装体,所述多个金属元件增加所述集成电路封装针对剪切应力的强度。

10.根据权利要求1所述的集成电路封装体,还包括:

穿过两个或更多电介质层的多个金属化过孔。

11.根据权利要求1所述的集成电路封装体,还包括第二电介质层,设置于所述总体均匀的金属层上面;以及

集成电路,其中所述第二电介质层位于所述集成电路与所述金属层之间。

12.一种制造集成电路封装体的方法,包括:

在集成电路封装体衬底材料的一个或多个电介质层上沉积金属层;

去除所述金属层的一部分,以便在所述金属层中限定多个空部和多个金属元件,所述金属层被指定为电源平面或接地平面,所述多个元件中的一些元件被共轴设置于所述多个空部中的对应空部内并且与所述电源平面或所述接地平面电隔离;以及

在所述一个或多个电介质层的外表面上制造多个电接触以用于将所述集成电路封装体电连接到印刷电路板,所述多个电接触定成与所制造的集成电路封装体的所述电源平面或接地平面中的对应空部轴向对准。

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