[发明专利]金属氧化物半导体晶体管基准电压源无效

专利信息
申请号: 201310300551.5 申请日: 2013-07-17
公开(公告)号: CN103412604A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 周泽坤;刘德尚;张其营;许天辉;石跃;明鑫;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 金属 氧化物 半导体 晶体管 基准 电压
【权利要求书】:

1.金属氧化物半导体晶体管基准电压源,其特征在于,包括:八只NMOS管和十四只PMOS管,具体连接关系如下:

第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管以及第十一PMOS管的源端接电源电压;第一PMOS管的栅端、第一NMOS管的源端与漏端、第二NMOS管的源端、第三NMOS管的源端与漏端、第四NMOS管的源端、第五NMOS管的源端、第七NMOS管的源端、第十三PMOS管的漏端以及第八NMOS管的源端均接地电位;第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端均与第一NMOS管的栅端相连接;第二NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管以及第八NMOS管的栅端以及第二NMOS管和第四PMOS管的漏端均与第二PMOS管的漏端相连接;第三PMOS管的栅端和漏端均与第四PMOS管的源端相连接;第四PMOS管的栅端、第三NMOS管的栅端、第五NMOS管的漏端均与第八PMOS管的漏端相连接;第五PMOS管的漏端与第六PMOS管的源端相连接;第五PMOS管的栅端、第六PMOS管的栅端和漏端以及第四NMOS管的漏端均与第八PMOS管的栅端相连接;第七PMOS管的栅端和漏端、第九PMOS管的栅端以及第十一PMOS管的栅端均与第八PMOS管的源端相连接;第九PMOS管的漏端与第十PMOS管的源端相连接;第十一PMOS管的漏端与第十二PMOS管的源端相连接;第十PMOS管的漏端、第六NMOS管的栅端和漏端均与第七NMOS管的栅端相连接;第六NMOS管的源端、第七NMOS管的漏端均与第十三PMOS管的栅端相连接;第十三PMOS管和第十四PMOS管的源端均与第十二PMOS管的漏端相连接;第十四PMOS管的栅端与漏端以及第八NMOS管的漏端均与输出端相连接。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管基准电压源,其特征在于,所述金属氧化物半导体晶体管基准电压源制作成集成电路。

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