[发明专利]金属氧化物半导体晶体管基准电压源无效
| 申请号： | 201310300551.5 | 申请日： | 2013-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103412604A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 周泽坤;刘德尚;张其营;许天辉;石跃;明鑫;王卓;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 基准 电压 | ||
1.金属氧化物半导体晶体管基准电压源，其特征在于，包括：八只NMOS管和十四只PMOS管，具体连接关系如下：
第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管以及第十一PMOS管的源端接电源电压；第一PMOS管的栅端、第一NMOS管的源端与漏端、第二NMOS管的源端、第三NMOS管的源端与漏端、第四NMOS管的源端、第五NMOS管的源端、第七NMOS管的源端、第十三PMOS管的漏端以及第八NMOS管的源端均接地电位；第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端均与第一NMOS管的栅端相连接；第二NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管以及第八NMOS管的栅端以及第二NMOS管和第四PMOS管的漏端均与第二PMOS管的漏端相连接；第三PMOS管的栅端和漏端均与第四PMOS管的源端相连接；第四PMOS管的栅端、第三NMOS管的栅端、第五NMOS管的漏端均与第八PMOS管的漏端相连接；第五PMOS管的漏端与第六PMOS管的源端相连接；第五PMOS管的栅端、第六PMOS管的栅端和漏端以及第四NMOS管的漏端均与第八PMOS管的栅端相连接；第七PMOS管的栅端和漏端、第九PMOS管的栅端以及第十一PMOS管的栅端均与第八PMOS管的源端相连接；第九PMOS管的漏端与第十PMOS管的源端相连接；第十一PMOS管的漏端与第十二PMOS管的源端相连接；第十PMOS管的漏端、第六NMOS管的栅端和漏端均与第七NMOS管的栅端相连接；第六NMOS管的源端、第七NMOS管的漏端均与第十三PMOS管的栅端相连接；第十三PMOS管和第十四PMOS管的源端均与第十二PMOS管的漏端相连接；第十四PMOS管的栅端与漏端以及第八NMOS管的漏端均与输出端相连接。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管基准电压源，其特征在于，所述金属氧化物半导体晶体管基准电压源制作成集成电路。
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