[发明专利]基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路

权利要求书

1.一种基于SiGe BiCMOS的宽带射频芯片静电保护电路，包括：

集成衬底静电放电ESD二极管，其位于宽带射频输入输出端口，用于释放负向瞬态静电放电ESD脉冲事件发生时所产生的输入输出端口与接地端口之间的大电流；

集成N阱静电放电ESD二极管，其位于宽带射频输入输出端口，用于释放正向瞬态静电放电ESD脉冲事件发生时所产生的输入输出端口与电源端口之间的大电流；

其特征在于：

所述的集成衬底静电放电ESD二极管，由1个或多个衬底静电防护ESD二极管组成，每个二极管的阴极阳极掺杂区及金属接触条均采用梯型叉指结构；二极管的外围填充有多晶硅材料，以对二极管自身进行隔离；

所述的集成N阱静电放电ESD二极管，由1个或多个N阱静电防护ESD二极管组成，每个二极管的阴极阳极掺杂区及金属接触条均采用梯形叉指型结构；二极管的外围填充有多晶硅材料，以对二极管自身进行隔离，二极管的下方设有N型埋层和N型外延层，以减小二极管的寄生效应。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述的梯型叉指结构，是指梯形长边为叉指的始端，梯形短边为叉指的末端，梯形两条斜边为叉指斜边线。

3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：所述的叉指斜边线采用交替的0度分段走线和45度角分段走线形成的锯齿状斜边线。

4.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于：所述的叉指斜边线进一步采用交替的0度分段走线和90度角分段走线形成的锯齿状斜边线。

5.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述的多晶硅材料，指采用西门子法气相淀积产生的柱状多晶硅材料。

6.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述的N型埋层，是采用高温热扩散将杂质材料磷P或砷As掺杂至衬底中形成的N型杂质扩散区。

7.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于：所述的N型外延层，是采用化学气相淀积将杂质材料磷P或砷As与硅Si材料一起淀积在衬底上形成的单晶N型外延薄膜。