[发明专利]简化制备单畴YBCO超导块材的方法有效

专利信息
申请号: 201310303997.3 申请日: 2013-07-18
公开(公告)号: CN103396114A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 杨万民;李佳伟;蒲茹;杨志娟;王妙;马斌;李哲;刘赢;杨媚 申请(专利权)人: 陕西师范大学
主分类号: C04B35/45 分类号: C04B35/45;C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 高雪霞
地址: 710062 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 简化 制备 ybco 超导 方法
【权利要求书】:

1.一种简化制备单畴YBCO超导块材的方法,其特征在于它由下述步骤组成:

(1)制备先驱块

将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1∶2~3.5∶2.67~5.17球磨混合均匀,加入混合物质量4.6%~8.7%的去离子水,混合均匀,压制成圆柱体状的先驱块;

(2)压制支撑块

将Yb2O3压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块;

(3)坯体的装配

在Al2O3垫片上表面由下至上依次放置MgO单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块,装配成坯体;

(4)顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钇钡铜氧块材

将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100~200℃的升温速率升温至900℃,保温5~15小时,以每小时60~150℃的升温速率升温至1040~1045℃,保温1~2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1008~1015℃,以每小时0.5~1℃的降温速率慢冷至1005~1007℃,以每小时0.1~0.5℃的降温速率慢冷至980~990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴YBCO块材;

(5)渗氧

将单畴YBCO块材放入管式炉中,在流通的氧气气氛、440~410℃的温区中慢冷200小时,得到单畴YBCO超导块材。

2.根据权利要求1所述的简化制备单畴YBCO超导块材的方法,其特征在于:在制备先驱块步骤(1)中,将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1∶2.67∶3.78球磨混合均匀,加入混合物质量4.6%~8.7%的去离子水,混合均匀,压制成圆柱体状的先驱块。

3.根据权利要求1所述的简化制备单畴YBCO超导块材的方法,其特征在于:在顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钇钡铜氧块材步骤(4)中,将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至900℃,保温6小时,以每小时120℃的升温速率升温至1042℃,保温2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1010℃,以每小时1℃的降温速率慢冷至1006℃,以每小时0.2℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴YBCO块材。

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