[发明专利]简化制备单畴YBCO超导块材的方法有效
申请号: | 201310303997.3 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103396114A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 杨万民;李佳伟;蒲茹;杨志娟;王妙;马斌;李哲;刘赢;杨媚 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | C04B35/45 | 分类号: | C04B35/45;C04B35/50;C04B35/622 |
代理公司: | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人: | 高雪霞 |
地址: | 710062 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 简化 制备 ybco 超导 方法 | ||
1.一种简化制备单畴YBCO超导块材的方法,其特征在于它由下述步骤组成:
(1)制备先驱块
将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1∶2~3.5∶2.67~5.17球磨混合均匀,加入混合物质量4.6%~8.7%的去离子水,混合均匀,压制成圆柱体状的先驱块;
(2)压制支撑块
将Yb2O3压制成与先驱块直径相同的圆柱体状的支撑块;
(3)坯体的装配
在Al2O3垫片上表面由下至上依次放置MgO单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块,装配成坯体;
(4)顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钇钡铜氧块材
将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100~200℃的升温速率升温至900℃,保温5~15小时,以每小时60~150℃的升温速率升温至1040~1045℃,保温1~2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1008~1015℃,以每小时0.5~1℃的降温速率慢冷至1005~1007℃,以每小时0.1~0.5℃的降温速率慢冷至980~990℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴YBCO块材;
(5)渗氧
将单畴YBCO块材放入管式炉中,在流通的氧气气氛、440~410℃的温区中慢冷200小时,得到单畴YBCO超导块材。
2.根据权利要求1所述的简化制备单畴YBCO超导块材的方法,其特征在于:在制备先驱块步骤(1)中,将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1∶2.67∶3.78球磨混合均匀,加入混合物质量4.6%~8.7%的去离子水,混合均匀,压制成圆柱体状的先驱块。
3.根据权利要求1所述的简化制备单畴YBCO超导块材的方法,其特征在于:在顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钇钡铜氧块材步骤(4)中,将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至900℃,保温6小时,以每小时120℃的升温速率升温至1042℃,保温2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1010℃,以每小时1℃的降温速率慢冷至1006℃,以每小时0.2℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴YBCO块材。
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