[发明专利]多晶硅生产中尾气分离工艺

权利要求书

1.多晶硅生产中尾气分离工艺，尾气含有氢气、三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢，其特征为尾气分离工艺包括步骤：

1）尾气进行冷却，将氯硅烷与不凝性气体氢气、氯化氢微量氯硅烷气体进行分离，冷凝的氯硅烷送入原料罐区进行回收分离；

2）不凝性气体氢气、氯化氢及微量氯硅烷气体经过压缩进行升压操作，压力大于氢气反应器压力；

3）不凝性气体氢气、氯化氢及微量氯硅烷气体经过一级吸附分离，得到含有纯度为99.9%～99.999999%的氢气，同时产生含有纯度为98.5%的氯化氢的解析气1，解析气1进入氯化氢回收装置进行反应消耗；

4）经过一级吸附分离后的99.9%～99.999999%氢气再送入二级吸附分离，去除氢气中的痕量杂质，得到产品产品纯度99.999999%～99.99999999%氢气；同时产生含有痕量杂质的解析气2，解析气2进入氢气回收装置进行反应消耗；

5）二级吸附分离的产品氢气送入产品氢储罐，最终供氢气反应器使用；

6）氢气反应器中不完全反应的气体再进行冷却分离，进行循环利用。

2.根据权力要求1所述的多晶硅生产中尾气分离工艺，其特征为在氢气反应器中，不凝性气体经过压缩进行升压操作，优选的氢气反应器压力为0.1-1.0 MpaG。