[发明专利]ESD保护电路

权利要求书

1.一种装置，包括：

基板，定义有装置区域，该装置区域包括至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路，其特征在于，各该些晶体管包括：

栅极，具有第一侧及第二侧；

第一扩散区域，位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中；

第二扩散区域，位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中，其特征在于，该第一及第二扩散区域包括第一极性类型的掺杂物；以及

漂移隔离区域，设置于该栅极与该第二扩散区域之间；

第一装置阱，包围该装置区域；

第二装置阱，设置于该第一装置阱内；

漂移阱，包围该第二扩散区域，其特征在于，该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域；以及

漏极阱，具有该第一极性类型的掺杂物，并设置于该第二扩散区域下方及该第一装置阱内。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一装置阱包括该第一极性类型的掺杂物，且该第二装置阱包括第二极性类型的掺杂物。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，该第一极性类型包括n型，且该第二极性类型包括p型。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第二装置阱至少包围该第一扩散区域及该栅极的一部分。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，该第二装置阱包围该栅极、该漂移隔离区域、及该第二扩散区域。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该第一装置阱及该漂移阱包括该第一极性类型的掺杂物，且该第二装置阱包括第二极性类型的掺杂物。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，该第一极性类型包括n型，且该第二极性类型包括p型。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该漏极阱是比该漂移阱窄。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该漂移阱的第一边缘是位于该第一晶体管的该漂移隔离区域的中心下方，且该漂移阱的第二边缘是位于该第二晶体管的该漂移隔离区域的中心下方。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，该漏极阱设置于该漂移阱内并邻近该第二扩散区域。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，该漏极阱的第一边缘与该漂移阱的该第一边缘间的相隔距离与该漏极阱的第二边缘与该漂移阱的该第二边缘间的相隔距离相同。

12.一种装置，包括：

基板，定义有装置区域，该装置区域包括至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路，其特征在于，各该些晶体管包括：

栅极，具有第一侧及第二侧；

第一扩散区域，位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中；

第二扩散区域，位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中；

以及

漂移隔离区域，设置于该栅极与该第二扩散区域间；

第一装置阱，包围该装置区域；

第二装置阱，设置于该第一装置阱内；

漂移阱，包围该第二扩散区域，其特征在于，该漂移阱的边缘是不延伸到该栅极下方且远离沟道区域；以及

漏极阱，设置于该第二扩散区域下方及该漂移阱内。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，该第一装置阱包括第一极性类型的掺杂物，且该第二装置阱包括第二极性类型的掺杂物，及该第一与第二扩散区域包括第一极性类型的掺杂物。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，该第一极性类型包括n型，且该第二极性类型包括p型。

15.如权利要求12所述的装置，其特征在于，该漂移阱的第一边缘是位于该第一晶体管的该漂移隔离区域的中心下方，且该漂移阱的第二边缘是位于该第二晶体管的该漂移隔离区域的中心下方。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，该漏极阱设置于该漂移阱内并邻近该第二扩散区域。

17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，该漏极阱的第一边缘175a与远离该第一晶体管的该栅极的该第一晶体管的该漂移隔离区域的边缘对齐，及该漏极阱的第二边缘175b与远离该第二晶体管的该栅极的该第二晶体管的该漂移隔离区域的边缘对齐。

18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，该漏极阱的该第一边缘与该漂移阱的该第一边缘间的相隔距离与该漏极阱的该第二边缘与该漂移阱的该第二边缘间的相隔距离相同。