[发明专利]VDMOS及其制造方法有效
| 申请号： | 201310306193.9 | 申请日： | 2013-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN104299908B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100000 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vdmos 及其 制造 方法 | ||
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS的制造方法，包括在衬底上形成氧化层、各P+区域、N-区域、栅氧化层和栅极的流程，其特征在于，还包括：
在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层，其中，所述保护层位于所述栅极和所述有源区中P+区之间；
在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层包括：
在衬底上形成氧化层，并通过构图工艺对所述氧化层进行刻蚀，在所述有源区中P+区的位置上方保留氧化层，作为所述保护层；
在衬底上形成氧化层、各P+区域、N-区域、栅氧化层和栅极的流程包括：
在所述衬底上形成氧化层，采用光刻胶构图工艺刻蚀所述氧化层，以形成具有第一厚度和第二厚度的氧化层，所述第一厚度的位置对应于待形成P+区域的位置，剩余的氧化层具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度；
在所述衬底上注入P+离子，以在待形成P+区域的位置形成各P+区域，所述各P+区域至少包括有源区中P+区；
去除剩余的光刻胶；
采用光刻胶构图工艺对所述氧化层进行刻蚀，以露出对应于N-区域的元胞区，且保留所述有源区中P+区上方的氧化层和光刻胶，所述有源区中P+区上方的氧化层作为所述保护层；
在所述衬底上注入N-离子，以在所述元胞区形成N-区域；
去除剩余的光刻胶；
在所述衬底上生长栅氧化层；
在所述衬底上形成栅极膜层，并采用光刻胶构图工艺形成栅极的图案。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述栅极的材料为多晶硅。
3.一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS，包括衬底、氧化层、各P+区域、N-区域、栅氧化层和栅极，其特征在于，还包括：形成在有源区中P+区与栅极之间的保护层；其中保护层的形成过程为：在衬底上形成氧化层，并通过构图工艺对所述氧化层进行刻蚀，以形成具有第一厚度和第二厚度的氧化层，所述第一厚度的位置对应于待形成P+区域的位置，剩余的氧化层具有第二厚度，且所述第一厚度小于所述第二厚度；在所述衬底上注入P+离子，以在待形成P+区域的位置形成各P+区域，所述各P+区域至少包括有源区中P+区；去除剩余的光刻胶；采用光刻胶构图工艺对所述氧化层进行刻蚀，以露出对应于N-区域的元胞区，且保留所述有源区中P+区上方的氧化层和光刻胶，所述有源区中P+区上方的氧化层作为所述保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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