[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极晶体管，所述绝缘栅双极晶体管形成在半导体衬底上，包括位于半导体衬底表面的MOS结构和位于半导体衬底底部的PN结，其特征在于，还包括：若干位于所述半导体衬底底部的槽型结构，所述槽型结构贯穿所述半导体衬底底部的PN结的P区和N区，并将所述PN结分为多个区域；其中，所述槽型结构包括位于所述半导体衬底底部的金属块和位于所述金属块和所述半导体衬底之间的氧化层，所述金属块中的金属的功函数小于所述半导体衬底材料的功函数。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述槽型结构均为大小相同、形状相同的条形或者方形结构，在每个绝缘栅双极晶体管中，所述槽型结构为完整的条形或者方形结构。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述槽型结构的宽度为1.0μm～4.0μm。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述槽型结构的深度为3μm～7μm。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述金属块中的金属为Al。

6.一种如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底表面形成MOS结构；

在所述半导体衬底的背面进行掺杂形成PN结；

利用刻蚀工艺在所述半导体衬底的背面刻蚀若干沟槽，所述沟槽贯穿所述PN结的P区和N区，并将所述PN结分为多个区域；

在所述沟槽的内壁形成氧化层；

利用沉积工艺在所述沟槽内壁的氧化层上形成金属至填满所述沟槽，所述金属的功函数小于半导体衬底材料的功函数。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽均为大小相同、形状相同的条形或者方形结构，在每个MOS结构所对应的所述半导体衬底的背面刻蚀沟槽为完整的条形或者方形结构。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述沟槽的宽度为1.0μm～4.0μm。

9.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述沟槽的深度为3μm～7μm。

10.根据权利要求6所述的功率半导体器件，其特征在于，所述金属为Al。