[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括显示区域和GOA区域，其特征在于：在所述GOA区域，从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属，且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接；

其中，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述过渡层的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述显示区域中的薄膜晶体管区域，从下至上依次包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧，并与所述有源层连接。

4.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成GOA区域的栅极金属和显示区域的栅线和栅极；

在所述衬底基板上依次沉积栅绝缘层、有源层、过渡层，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率；

刻蚀掉所述GOA区域的过渡层、有源层、栅绝缘层，以及所述显示区域中的薄膜晶体管区域的过渡层和部分有源层，使所述GOA区域形成过孔；

在所述GOA区域形成源漏极金属，同时在所述显示区域形成数据线、源极和漏极，其中，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：所述刻蚀掉所述GOA区域的过渡层、有源层、栅绝缘层，以及所述显示区域中的薄膜晶体管区域的过渡层和部分有源层，在所述GOA区域形成过孔，具体为：

在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，并通过灰色调掩膜工艺和灰化工艺，使所述光刻胶形成完全去除区域、部分保留区域和完全保留区域，其中，所述完全去除区域对应所述栅极金属所在的区域，所述部分保留区域对应所述显示区域中的薄膜晶体管区域，所述完全保留区域对应其余的区域；

刻蚀掉所述完全去除区域的过渡层、有源层、栅绝缘层，在所述GOA区域形成过孔；

通过灰化工艺，去除所述部分保留区域的光刻胶；

刻蚀掉所述部分保留区域的过渡层和部分有源层；

通过灰化工艺，去除所述完全保留区域的光刻胶。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于：在所述GOA区域形成源漏极金属，同时在所述显示区域形成数据线、源极和漏极之后，还包括：

在衬底基板上形成像素电极；

在所述衬底基板上形成保护层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：在所述衬底基板上形成保护层之后还包括：

在所述衬底基板上形成公共电极。

8.一种显示装置，其特征在于：包括权利要求1至3任一项所述的阵列基板。