[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法，以及设有该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）已在平板显示领域中占据了主导地位。现在的TFT-LCD中越来越多的采用阵列基板行驱动（Gate driver On Array，GOA）技术，即在阵列基板的板边划分GOA区域，在GOA区域中将栅极金属与源漏极金属通过贯穿栅绝缘层和有源层的过孔电连接，作为栅极驱动电路的一部分，以实现更高的像素密集度（Pixel Per Inch，PPI）。同时，为了节省阵列基板制造过程中掩膜版的使用次数，通常利用一次掩膜版工艺在GOA区域形成贯穿栅绝缘层和有源层的过孔。例如，在高级超维场转换（Advanced super Dimension Switch，ADS）型阵列基板的制造过程中，利用一次掩膜版工艺在GOA区域刻蚀有源层和栅绝缘层，形成过孔，就可以只通过六次掩膜版工艺形成阵列基板。

本发明人在实现本发明的过程中发现，现有技术至少存在以下问题：如图1所示，图中衬底基板1的左半部分为GOA区域，在GOA区域的衬底基板1上形成有栅极金属21、栅绝缘层3和有源层4，其中有源层4实际是由两层组成，即上层的金属重掺杂层和下层的非晶硅层。在过孔刻30蚀过程中，金属重掺杂层的刻蚀速率比非晶硅层的刻蚀速率慢很多，所以当栅绝缘层3和有源层4完全刻蚀掉，形成过孔时，有源层4的边缘会形成向下开口的倒角，这将导致后续沉积的源漏极金属下方存在空隙，影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法，以及设有该阵列基板的显示装置，解决了现有技术中GOA区域的边缘会形成向下开口的倒角，影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性的技术问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明提供一种阵列基板，包括显示区域和GOA区域，在所述GOA区域，从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属，且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接；

其中，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。

优选的，所述过渡层的材料为氮化硅。

进一步，所述显示区域中的薄膜晶体管（TFT）区域，从下至上依次包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别位于所述有源层的两侧，并与所述有源层连接。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成GOA区域的栅极金属和显示区域的栅线和栅极；

在所述衬底基板上依次沉积栅绝缘层、有源层、过渡层，所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率；

刻蚀掉所述GOA区域的过渡层、有源层、栅绝缘层，以及所述显示区域中的TFT区域的过渡层和部分有源层，使所述GOA区域形成过孔；

在所述GOA区域形成源漏极金属，同时在所述显示区域形成数据线、源极和漏极，其中，所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接。

优选的，所述刻蚀掉所述GOA区域的过渡层、有源层、栅绝缘层，以及所述显示区域中的TFT区域的过渡层和部分有源层，在所述GOA区域形成过孔，具体为：

在所述衬底基板上涂覆一层光刻胶，并通过灰色调掩膜工艺和灰化工艺，使所述光刻胶形成完全去除区域、部分保留区域和完全保留区域，其中，所述完全去除区域对应所述栅极金属所在的区域，所述部分保留区域对应所述显示区域中的TFT区域，所述完全保留区域对应其余的区域；

刻蚀掉所述完全去除区域的过渡层、有源层、栅绝缘层，在所述GOA区域形成过孔；

通过灰化工艺，去除所述部分保留区域的光刻胶；

刻蚀掉所述部分保留区域的过渡层和部分有源层；

通过灰化工艺，去除所述完全保留区域的光刻胶。

进一步，在所述GOA区域形成源漏极金属，同时在所述显示区域形成数据线、源极和漏极之后，还包括：

在衬底基板上形成像素电极；

在所述衬底基板上形成保护层。

进一步，在所述衬底基板上形成保护层之后还包括：

在所述衬底基板上形成公共电极。

本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。