[发明专利]静电防护元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310311517.8 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN104347598A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 黄宗义;廖文毅 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/04;H01L21/82;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 防护 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种静电防护元件，形成于一半导体基板中，该半导体基板具有一上表面，其特征在于，该静电防护元件包含：
一P型井区，形成于该上表面下；
一栅极，形成于该上表面上，且部分该P型井区位于该栅极下方；
一N型源极，形成于该上表面下的该P型井区中，由俯视图视之，该N型源极位于该栅极一侧之外；
一N型漏极，形成于该上表面下的该P型井区中，由俯视图视之，该N型漏极位于该栅极另一侧之外；
其中，该栅极将该N型源极与该N型漏极分开，该栅极包括：
一介电层，形成于该上表面上，与该上表面连接；
一堆叠层，形成于该介电层上，用以作为该栅极电性接点；以及
一间隔层，形成于该堆叠层的侧壁外的该上表面上；以及
一第一P型轻掺杂漏极，形成于该上表面下的该P型井区中，由俯视图视之，部分该第一P型轻掺杂漏极位于该间隔层下方。
2.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，该第一P型轻掺杂漏极与一低压元件中的一第二P型轻掺杂漏极，利用相同制程步骤形成。
3.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，该栅极于正常操作时与一接地电位电性连接。
4.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，该第一P型轻掺杂漏极由一P型轻掺杂漏极离子植入制程步骤以及一N型轻掺杂漏极离子植入制程步骤所形成，其中该P型轻掺杂漏极离子植入制程步骤为形成一低压元件中的一第二P型轻掺杂漏极的相同制程步骤。
5.如权利要求1所述的静电防护元件，其中，该第一P型轻掺杂漏极的P型杂质浓度高于该P型井区的P型杂质浓度。
6.一种静电防护元件制造方法，其特征在于，包含：
提供一半导体基板，且该半导体基板具有一上表面；
形成一P型井区于该上表面下；
形成一栅极于该上表面上，且部分该P型井区位于该栅极下方；
形成一N型源极于该上表面下的该P型井区中，由俯视图视之，该N型源极位于该栅极一侧之外；
形成一N型漏极于该上表面下的该P型井区中，由俯视图视之，该N型漏极位于该栅极另一侧之外，该栅极将该N型源极与该N型漏极分开，该栅极包括：
一介电层，形成于该上表面上，与该上表面连接；
一堆叠层，形成于该介电层上，用以作为该栅极电性接点；以及
一间隔层，形成于该堆叠层的侧壁外的该上表面上；以及
形成一第一P型轻掺杂漏极于该上表面下的该P型井区中，由俯视图视之，部分该第一P型轻掺杂漏极位于该间隔层下方。
7.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，该第一P型轻掺杂漏极与一低压元件中的一第二P型轻掺杂漏极，利用相同制程步骤形成。
8.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，该栅极于正常操作时与一接地电位电性连接。
9.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，该第一P型轻掺杂漏极由一P型轻掺杂漏极离子植入制程步骤以及一N型轻掺杂漏极离子植入制程步骤所形成，其中该P型轻掺杂漏极离子植入制程步骤为形成一低压元件中的一第二P型轻掺杂漏极的相同制程步骤。
10.如权利要求6所述的静电防护元件制造方法，其中，该第一P型轻掺杂漏极的P型杂质浓度高于该P型井区的P型杂质浓度。
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