[发明专利]用于测试MIM电容的半导体结构有效
| 申请号： | 201310312455.2 | 申请日： | 2013-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN103367329A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 李强;孙转兰;杨昌辉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 测试 mim 电容 半导体 结构 | ||
1.一种用于测试MIM电容的半导体结构，分为多层，包括：
第一金属层，其至少包括第一电路区和第二电路区；
第二金属层，其以第一介质层为间隔设置于所述第一金属层下方，并与所述第二电路区电连接；
上极板，设于所述第一介质层中临近于所述第一金属层的位置，所述上极板与所述第一电路区电连接；
下极板，与所述上极板上下相对地设于所述第一介质层中临近于所述第二金属层的位置，并与所述上极板以一绝缘层隔开，所述下极板与所述第二电路区电连接；
其中，所述半导体结构形成于一P型半导体衬底上，所述第二金属层与所述半导体衬底以第一电路通路电连接，以在所述绝缘层中有漏电区时形成一自所述上极板到所述半导体衬底的第二电路通路，所述第二电路通路包括所述第一电路通路。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层以第二介质层间隔开并电连接，所述第三金属层与所述半导体衬底以第三介质层间隔开并电连接，以形成所述第二金属层与所述半导体衬底之间的第一电路通路。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三金属层分别通过垂直通孔互连与所述第二金属层和所述半导体衬底电连接。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述上极板包括多个相互间隔设置的极板区，每一所述极板区分别与所述第一电路区电连接。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述上极板包括8块所述极板区，所述上极板的长度方向均匀分布4个所述极板区，所述上极板的宽度方向均匀分布2个所述极板区，各所述极板区大小一致、呈矩形。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述上、下极板上下相对平行设置，所述下极板的面积大于所述上极板。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述上、下极板的制备材料为TiN或者TaN。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层材料为二氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310312455.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：堆叠结合发光二极管
- 下一篇：一种用于IGBT器件的电连接结构
