[发明专利]一种剥离装置及剥离方法在审

专利信息
申请号: 201310313770.7 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN104347449A 公开(公告)日: 2015-02-11
发明(设计)人: 郑功侑;黄添旺 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/68;G02F1/1333;B32B38/10
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;吕俊清
地址: 201500 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 剥离 装置 方法
【说明书】:

技术领域

本公开总地涉及一种剥离装置及剥离方法,具体而言,涉及用于将柔性基板从与其黏接的层上剥离的装置及剥离方法。

背景技术

通常,柔性基板1与玻璃基板2通过离型层3黏接在一起,如图1所示,为了将柔性基板从玻璃基板上剥离,目前采用的方式为激光剥离(Laser lift-off)方式,该方式为:柔性基板1完成TFT、OLED制程并封装完后,如图2所示,利用激光L扫描柔性基板1与玻璃基板2中间的离形层材料,给予高能量将离形层3与柔性基板1间的键结打断,破坏柔性基板1与离型层3间的黏接,从而将柔性基板1剥离。

由于需要使用激光进行扫描,所以玻璃工艺非常耗时,另外,激光剥离设备的成本、维护成本高。

因此,需要对剥离方法及装置进行改进,以提高剥离效率,降低设备成本。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

公开了一种剥离装置及剥离方法,以提高剥离效率,降低设备成本。

本公开的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地将从描述中变得显然,或者可以通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面,提供一种剥离装置,用于将柔性基板从离型层上剥离,该装置包括:线性切割器,具有移动部和切割部,该移动部与切割部连接,用于带动该切割部线性移动;及吸引轮,具有本体和吸附部,该本体能够在该柔性基板上滚动,该吸附部位于该本体上,并能够产生吸附力;其中,当该切割部将至少部分柔性基板从离型层上切割开时,该吸附部产生的吸附力能够吸附该部分柔性基板,随着该吸引轮在该柔性基板上滚动,将整个柔性基板吸附在该本体上,与该离型层剥离。

根据本公开的另一个方面,提供一种剥离方法,用于将柔性基板从离型层上剥离,该方法包括以下步骤:

步骤1:将切割部与该柔性基板和离型层的脱离起始线对齐,在该柔性基板的上方放置吸引轮;

步骤2:使该切割部从该脱离起始线处,沿切割方向移动,将该柔性基板从离型层上切割开;

步骤3:使吸引轮的吸附部对该柔性基板产生吸附力,将被切割开的柔性基板吸附在该吸引轮的本体上。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式,本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1为柔性显示面板的结构示意图。

图2为利用现有方式剥离柔性基板的示意图。

图3为本公开的剥离装置的俯视示意图。

图4为本公开的剥离装置进行剥离的示意图,其示出未切割状态。

图5为本公开的剥离装置进行剥离的示意图,其示出切割中状态。

图6为本公开的剥离装置进行剥离的示意图,其示出完成剥离状态。

图7为利用本公开的剥离装置进行多层结构的基板剥离的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中,为了清晰,夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施方式的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。

本公开提供一种剥离装置,用于将柔性基板1从离型层3上剥离,如图4所示,该装置包括线性切割器10和吸引轮20。

线性切割器10具有移动部11和切割部12,移动部11与切割部12连接,用于带动切割部12线性移动。

本实施方式中,如图3所示,柔性基板1的两侧设有滑轨13,该滑轨13的长度至少从柔性基板1的一端延伸至另一端,移动部11设置在滑轨13上,并能够在滑轨13上沿着切割方向D水平移动。

本实施方式中,移动部11为滚轮,滑轨13的高度能够调节,在进行切割前,滑轨13的高度被设置为使切割部11与柔性基板1和离型层3的脱离起始线P对齐。

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