[发明专利]一种高容量储氢薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高容量储氢薄膜，其特征在于，它为覆盖Pd层的Mg-Y合金薄膜，Mg-Y合金薄膜成分为Mg_xY_100-x，其中10≤x≤90，Mg_xY_100-x薄膜总厚度为100～500nm，Pd覆盖层厚度为5～20nm。

2.一种制备权利要求1所述储氢薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1将基底放入磁控溅射仪的腔室，抽真空至1×10^-4～5×10^-4Pa；

S2向磁控溅射仪的腔室通入氩气，以Mg和Y为靶材，通过磁控溅射共溅射的方法制备Mg-Y合金薄膜；

S3在Mg-Y合金薄膜上溅射一层Pd层。

3.如权利要求2所述的制备储氢薄膜的方法，其特征在于，所述基底为普通玻璃片、石英片和硅片中的一种。

4.如权利要求2所述的制备储氢薄膜的方法，其特征在于，步骤S1所述的基底在放入磁控溅射仪的腔室之前，需要清洗，清洗步骤如下：

（1）将基底在去离子水中用超声波清洗；

（2）将基底在丙酮中用超声波清洗；

（3）将基底在无水乙醇中用超声波清洗。

5.如权利要求2所述的制备储氢薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中所述磁控溅射共溅射方法制备Mg-Y薄膜的条件为：氩气的流量是20-90sccm；氩气的工作压力为0.2～0.6Pa；基底温度为25～100℃；Mg和Y的溅射功率为10-60W。

6.如权利要求2所述的制备储氢薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中所述磁控溅射共溅射方法制备Mg-Y薄膜时，固定Mg的溅射功率，改变Y的溅射功率来改变Mg、Y原子比。

7.如权利要求2所述的制备储氢薄膜的方法，其特征在于，步骤S2中所述磁控溅射共溅射方法制备Mg-Y薄膜时，固定Y的溅射功率，改变Mg的溅射功率来改变Mg、Y原子比。

8.如权利要求2所述的制备储氢薄膜的方法，其特征在于，在步骤S3中Mg-Y薄膜溅射一层Pd覆盖层的条件为:氩气的流量为20-90sccm；氩气的工作电压为0.2～0.6Pa；基底温度为25～100℃；Pd的溅射功率为30～50W。