[发明专利]一种极紫外辐照材料测试系统

权利要求书

1.一种极紫外辐照材料测试系统，其特征在于，包括EUV光源室(1)、滤波片室(2)、收集镜室(3)、光谱检测室(4)和样品室(6)，其中

所述EUV光源室(1)用于容纳EUV光源(11)，该EUV光源(11)用于辐射出宽谱近软X射线；

所述滤波片室(2)用于放置滤波片，该滤波片用于将所述宽谱近软X射线滤波成窄谱EUV辐照；

所述收集镜室(3)用于放置收集镜(31)，该收集镜(31)用于将所述EUV辐照汇聚到所述样品室(6)中；

所述光谱检测室(4)用于安装一个反射镜(41)和一个光谱仪(42)，所述反射镜(41)用于将来自收集镜室(3)的EUV辐照反射到所述光谱仪(42)；

所述样品室(6)用于容纳所要测试的样品(S)、CCD(616)和能量计(617)，并且能够使样品(S)、CCD(616)和能量计(617)轮流移动至能够接受EUV辐照的同一位置。

2.如权利要求1所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：还包括转接室(5)，其用于连接所述光谱检测室(4)和所述样品室(6)，并且把来自所述光谱检测室(4)的EUV辐照引入所述样品室(6)中。

3.如权利要求2所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：所述转接室(6)中安装有真空快门，以控制所述EUV辐照在样品(S)上的辐照次数和辐照时间。

4.如权利要求1至3中任一项所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：所述滤波片室(2)放置在所述收集镜室(3)之前或之后。

5.如权利要求1至3中任一项所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于，所述光谱检测室(4)中还安装有一维平移台(44)和一个支架(43)，该支架(43)安装于该一维平移台(44)上，所述反射镜(41)安装于该支架(43)上。

6.如权利要求1至3中任一项所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：该极紫外辐照材料测试系统的能量的计算过程为：

P_s＝P×(1-cosθ)×T_zr×R_m，

其中，P_s为辐照到所述样品(S)表面的能量，P为所述EUV光源在2π立体角内的功率，θ为所述收集镜(31)的收集半角，T_zr为所述滤波片的透过率，R_m为所述收集镜(31)的反射率。

7.如权利要求1至3中任一项所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：所述样品室(6)中具有一个三维平移台(61)，其用于安装所述样品(S)、CCD(616)和能量计(617)。

8.如权利要求7所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：所述三维平移台(61)由三个一维平移台通过支架组合连接而成。

9.如权利要求8所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：所述三维平移台(61)包括X轴平移台(611)、Y轴平移台(612)、Z轴平移台(613)、X-Z轴支架(614)和样品台支架(615)，其中

所述X轴平移台(611)安装在所述Y轴平移台(612)的螺母上，该X轴平移台的螺母上安装所述X-Z轴支架(614)，该X-Z轴支架(614)上安装所述Z轴平移台(613)，该Z轴平移台(613)的螺母上安装有所述样品台支架(615)，该样品台支架(615)上分别固定所述样品(S)、CCD(616)和能量计(617)。

10.如权利要求9所述的极紫外辐照材料测试系统，其特征在于：所述CCD(616)、能量计(617)的探测器的敏感平面和所述样品(S)的测试表面保持在一个平面上，且该平面与来流EUV辐照的主光轴垂直。