[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.蚀刻剂组合物，包括：

过硫酸铵(((NH₄)₂)S₂O₈)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。

2.权利要求1的蚀刻剂组合物，进一步包括：

辅助氧化剂。

3.权利要求2的蚀刻剂组合物，其中

所述辅助氧化剂的含量为0.1重量%-2重量%。

4.权利要求3的蚀刻剂组合物，其中

所述辅助氧化剂包括选自如下的辅助氧化剂：磷酸(H₃PO₄)、硝酸(HNO₃)、乙酸(CH₃COOH)、高氯酸(HClO₄)和过氧化氢(H₂O₂)。

5.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中

所述过硫酸铵含量为0.1重量%-20重量%，所述基于唑的化合物含量为0.01重量%-2重量%，所述水溶性的胺化合物含量为0.1重量%-5重量%，所述含磺酸基团的化合物含量为0.1重量%-10重量%，和所述含硝酸根的化合物含量为0.1重量%-10重量%。

6.权利要求5的蚀刻剂组合物，其中

所述含磷酸根的化合物含量为0.1重量%-5重量%。

7.权利要求6的蚀刻剂组合物，其中

所述含氯化物的化合物含量为0.001重量%-1重量%。

8.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中

所述基于唑的化合物包括选自如下的基于唑的化合物：苯并三唑、氨基四唑、咪唑和吡唑。

9.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中

所述水溶性的胺化合物包括选自如下的水溶性的胺化合物：甘氨酸、亚氨基二乙酸、赖氨酸、苏氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、对羟基苯基甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、丙氨酸、邻氨基苯甲酸、色氨酸、氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂族胺磺酸、牛磺酸、脂族胺亚磺酸和氨基乙烷亚磺酸。

10.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中

所述含磺酸基团的化合物包括选自如下的含磺酸基团的化合物：甲磺酸(CH₃SO₃H)、苯磺酸(C₆H₅SO₃H)和对甲苯磺酸(C₇H₇SO₃H)。

11.权利要求1的蚀刻剂组合物，其中

所述含硝酸根的化合物包括选自如下的含硝酸根的化合物：硝酸铵(NH₄NO₃)、硝酸钙(Ca(NO₃)₂)、硝酸锌(Zn(NO₃)₂)、硝酸钠(NaNO₃)、硝酸铝(Al(NO₃)₃)、硝酸钡(Ba(NO₃)₂)、硝酸铈(Ce(NO₃)₃)、硝酸铜(Cu(NO₃)₂)、硝酸铁(Fe(NO₃)₃)、硝酸锂(LiNO₃)、硝酸镁(Mg(NO₃)₂)、硝酸锰(Mn(NO₃)₂)、硝酸银(AgNO₃)和硝酸钾(KNO₃)。