[发明专利]蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法

说明书

技术领域

本公开内容涉及蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。

背景技术

近来，随着可要求平板显示器工业实施高清晰度、大面积和3D显示，存在确保更高的响应速度的需要。特别地，可要求在TFT结构的沟道部分处电子的移动速度的增加。因此，已使用低电阻材料例如铜以形成线路，且已研究使用氧化物半导体以增加在半导体层中电子的移动速度的方法。

使用氧化物半导体的TFT受到广泛的关注，因为该TFT由于简单的结构和工艺而对于确保优异的特性和大规模生产是有益的。在TFT-LCD的情况下，可通过使用与已知的Si:H TFT相比具有快速的迁移率的氧化物TFT而实施高速运行面板。

因此，可需要用于控制优异的锥形蚀刻轮廓以将氧化物施加至TFT的沟道部分和蚀刻所述沟道部分的技术，和将半导体层选择性地蚀刻以形成氧化物薄膜晶体管的沟道部分可为必须的。

发明内容

本发明的示例性实施方式提供共同地(collectively)蚀刻或选择性地蚀刻低电阻线路和由氧化物半导体形成的半导体层的蚀刻剂组合物，和使用其制造薄膜晶体管的方法。

根据本发明的示例性实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH₄)₂S₂O₈)、基于唑(azole)的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物(含氯的化合物)和剩余的水。

所述蚀刻剂组合物可进一步包括辅助氧化剂。

所述辅助氧化剂的含量可为约0.1重量%-约2重量%。

所述辅助氧化剂可包括选自如下的辅助氧化剂：磷酸(H₃PO₄)、硝酸(HNO₃)、乙酸(CH₃COOH)、高氯酸(HClO₄)和过氧化氢(H₂O₂)。

所述过硫酸铵含量可为约0.1重量%-约20重量%，所述基于唑的化合物含量可为约0.01重量%-约2重量%，所述水溶性的胺化合物含量可为约0.1重量%-约5重量%，所述含磺酸基团的化合物含量可为约0.1重量%-约10重量%，和所述含硝酸根的化合物含量可为约0.1重量%-约10重量%。

所述含磷酸根的化合物含量可为约0.1重量%-约5重量%。

所述含氯化物的化合物含量可为约0.001重量%-约1重量%。

所述基于唑的化合物可包括选自如下的基于唑的化合物：苯并三唑、氨基四唑、咪唑和吡唑。

所述水溶性的胺化合物可包括选自如下的水溶性的胺化合物：甘氨酸、亚氨基二乙酸、赖氨酸、苏氨酸、丝氨酸、天冬氨酸、对羟基苯基甘氨酸、二羟基乙基甘氨酸、丙氨酸、邻氨基苯甲酸、色氨酸、氨基磺酸、环己基氨基磺酸、脂族胺磺酸、牛磺酸、脂族胺亚磺酸和氨基乙烷亚磺酸。

所述含磺酸基团的化合物可包括选自如下的含磺酸基团的化合物：甲磺酸(CH₃SO₃H)、苯磺酸(C₆H₅SO₃H)和对甲苯磺酸(C₇H₇SO₃H)。

所述含硝酸根的化合物可包括选自如下的含硝酸根的化合物：硝酸铵(NH₄NO₃)、硝酸钙(Ca(NO₃)₂)、硝酸锌(Zn(NO₃)₂)、硝酸钠(NaNO₃)、硝酸铝(Al(NO₃)₃)、硝酸钡(Ba(NO₃)₂)、硝酸铈(Ce(NO₃)₃)、硝酸铜(Cu(NO₃)₂)、硝酸铁(Fe(NO₃)₃)、硝酸锂(LiNO₃)、硝酸镁(Mg(NO₃)₂)、硝酸锰(Mn(NO₃)₂)、硝酸银(AgNO₃)和硝酸钾(KNO₃)。