[发明专利]半导体器件的单粒子闭锁预防技术

权利要求书

1.一种处理半导体器件中的单粒子闭锁的方法，包括：

确定寄生硅控整流器在半导体器件的集成电路设计中的位置，其中寄生硅控整流器包括寄生pnp双极结晶体管和寄生npn双极结晶体管；和

将位于第一电源节点和寄生pnp双极结晶体管的发射极之间的第一晶体管合并到集成电路设计中，其中第一晶体管包括耦合到第一电源节点的第一端子、耦合到寄生pnp双极结晶体管的发射极的第二端子、以及控制端子,并且其中第一晶体管不位于pnp双极结晶体管的基极和第一电源节点之间，在此情况下第一晶体管限定在单粒子闭锁（SEL）之后由寄生pnp双极结晶体管传导的电流。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将位于第二电源节点和寄生npn双极结晶体管的发射极之间的第二晶体管合并到集成电路设计中，其中第二晶体管包括耦合到第二电源节点的第一端子、耦合到寄生npn双极结晶体管的发射极的第二端子、以及控制端子,并且其中第一晶体管的控制端子耦合到寄生npn双极结晶体管的发射极以及第二晶体管的控制端子耦合到寄生pnp双极结晶体管的发射极，在此情况下第二晶体管不位于npn双极结晶体管的基极和第二电源节点之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中第一晶体管是p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,第二晶体管是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，并且其中第一晶体管和第二晶体管的第一端子对应于源极端子，第一晶体管和第二晶体管的第二端子对应于漏极端子，以及第一晶体管和第二晶体管的控制端子对应于栅极端子。

4.根据权利要求1所述的方法，其中半导体器件是互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。

5.根据权利要求4所述的方法，其中CMOS器件是静态随机存取存储器(SRAM)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中第一晶体管是p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，并且第一晶体管的第一端子对应于源极端子，并且所述方法还包括：

使用与第一端子分开的连接将第一晶体管的体耦合到第一电源节点。

7.根据权利要求1所述的方法，其中半导体器件是静态随机存取存储器(SRAM),第一电源节点是全局电源节点,以及第一晶体管被安置于在全局电源节点和本地电源节点之间的带单元中。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

使用SEL检测电路响应于SEL事件生成SEL信号。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

响应于外部复位信号复位SEL检测电路。

10.一种半导体器件，包括：

寄生硅控整流器，包括寄生pnp双极结晶体管和寄生npn双极结晶体管的；和

耦合在第一电源节点和寄生pnp双极结晶体管的发射极之间的第一晶体管，其中第一晶体管包括耦合到第一电源节点的第一端子、耦合到寄生pnp双极结晶体管的发射极的第二端子、和控制端子，并且其中第一晶体管不位于pnp双极结晶体管的基极和第一电源节点之间，在此情况下第一晶体管限定在单粒子闭锁（SEL）之后由寄生pnp双极结晶体管传导的电流。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

耦合到第二电源节点和寄生npn双极结晶体管的发射极之间的第二晶体管，其中第二晶体管包括耦合到第二电源节点的第一端子、耦合到寄生npn双极结晶体管的发射极的第二端子、和控制端子,并且其中第一晶体管的控制端子耦合到寄生npn双极结晶体管的发射极以及第二晶体管的控制端子耦合到寄生pnp双极结晶体管的发射极，在此情况下第二晶体管不位于npn双极结晶体管的基极和第二电源节点之间。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中第一晶体管是p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，第二晶体管是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，并且其中第一晶体管和第二晶体管的第一端子对应于源极端子，第一晶体管和第二晶体管的第二端子对应于漏极端子，以及第一晶体管和第二晶体管的控制端子对应于栅极端子。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中第一晶体管的体耦合到第一电源节点。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中第二晶体管的体耦合到第二电源节点。