[发明专利]捕获集成电路芯片与芯片封装体之间的互耦合效应

权利要求书

1.一种在计算机基础设施中实施的用于设计集成电路芯片的方法，包括： 

编译过程技术参数，所述过程技术参数描述所述集成电路芯片的封装体和芯片-封装体耦合的电学行为；以及 

生成包括编译后的过程技术参数的寄生技术文件。 

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生成包括：在所述寄生技术文件中定义所述封装体的至少一个导体层，所述至少一个导体层具有与所述集成电路芯片的主要耦合效应。 

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述生成还包括：将所有描述所述集成电路芯片的电学行为的过程技术参数以及编译后的描述所述芯片-封装体耦合和所述封装体的电学行为的过程技术参数写入到所述寄生技术文件中。 

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在所述寄生技术文件中定义接地平面基准，其中所述接地平面基准被定义为与所述集成电路芯片的互连布线层和有源器件充分分开，使得在仿真期间所述接地平面基准不贡献显著的电容性耦合。 

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：进行对所述寄生技术文件的校准。 

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在设计包中提供所述封装体的至少一个导体层，使得所述至少一个导体层能够被用于使所述芯片封装体、所述芯片-封装体耦合以及所述集成电路芯片的电路元件互连。 

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述生成包括：在所述寄生技术文件中定义所述封装体的所述至少一个导体层。 

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述生成还包括：将所有描述所述集成电路芯片的电学行为的过程技术参数以及编译后的描述所述芯片-封装体耦合和所述封装体的电学行为的过程技术参数写入到所述寄 生技术文件中。 

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述寄生技术文件中定义接地平面基准，其中所述接地平面基准被定义为与所述集成电路芯片的互连布线层和有源器件充分分开，使得在布图后仿真期间所述接地平面基准不贡献显著的电容性耦合。 

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：进行对所述寄生技术文件的校准。 

11.一种用于对集成电路芯片进行设计后测试和优化的方法，包括： 

完成所述集成电路芯片的设计和布图； 

发起对所述集成电路芯片的寄生提取，其中所述发起包括： 

编译过程技术参数，所述过程技术参数描述所述集成电路芯片的封装体和芯片-封装体耦合的电学行为；以及 

生成包括编译后的过程技术参数的寄生技术文件； 

生成寄生提取结果；以及 

将所述寄生提取结果输入到布图后仿真中。 

12.根据权利要求11所述的方法，还包括： 

执行所述布图后仿真；以及 

当所述寄生提取结果引起所述集成电路芯片的不期望的性能时，通过一个或多个设计优化循环改变所述集成电路芯片的所述布图。 

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述生成所述寄生技术文件包括：在所述寄生技术文件中定义所述封装体的至少一个导体层，所述至少一个导体层具有与所述集成电路芯片的主要耦合效应。 

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述生成所述寄生技术文件还包括：将所有描述所述集成电路芯片的电学行为的过程技术参数以及编译后的描述所述芯片-封装体耦合和所述封装体的电学行为的过程技术参数写入到所述寄生技术文件中。 

15.一种在计算机辅助的设计系统中实施的用于生成集成电路芯片的功能性设计模型的方法，该方法包括： 

定义寄生技术文件，所述寄生技术文件包含定义集成电路芯片封装体的至少一个金属层的要素；以及 

将过程技术参数写入到所述寄生技术文件中，所述过程技术参数描述所述集成电路芯片、所述集成电路芯片封装体以及芯片-封装体耦合的区域的电学行为。 

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述集成电路芯片封装体的所述至少一个金属层的电学参数由封装体销售商提供。