[发明专利]一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法

权利要求书

1.一种在用于半导体处理室内的物体表面提供喷涂陶瓷涂层的方法，所述喷涂陶瓷涂层表现出对含卤素等离子体的抗腐蚀性，并且表现出在1000V下测得的，大约为200℃下最大10¹¹Ω·cm，50℃下最大10¹⁴Ω·cm的电阻率，从而降低等离子体在半导体处理室中出现电弧的几率，其中所述涂层是利用选自下列的技术来喷涂的：火焰喷涂、热喷涂、和等离子体喷涂，且其中所述涂层包含至少一种含钇固溶体，并且其中所述陶瓷涂层是由至少三种前驱体氧化物形成的，所述至少三种前驱体氧化物包括：含量从约40摩尔％至低于约100摩尔％的氧化钇、含量从约5摩尔％至约50摩尔％的氧化锆、和含量从约5摩尔％至高达约20摩尔％的氧化铪。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述物体由铝或铝合金，以及在所述铝或铝合金上方的厚度从约0.5mil到约4mil的氧化铝层制成，从而所述喷涂陶瓷涂层被施加到所述氧化铝层上。

3.如权利要求2所述的方法，其中在施加所述喷涂陶瓷涂层期间，所述氧化铝层的温度范围为：从约150℃到比所述氧化铝的玻璃转换温度要小的温度。

4.一种在用于半导体处理室内的物体表面提供喷涂陶瓷涂层的方法，所述喷涂陶瓷涂层表现出对含卤素等离子体的抗腐蚀性，并且表现出在1000V下测得的，大约为200℃下最大10¹¹Ω·cm，50℃下最大10¹⁴Ω·cm的电阻率，从而降低等离子体在半导体处理室中出现电弧的几率，其中所述涂层是利用选自下列的技术来喷涂的：火焰喷涂、热喷涂、和等离子体喷涂，且其中所述涂层包含至少一种含钇固溶体，并且其中所述陶瓷涂层是由至少三种前驱体氧化物形成的，所述至少三种前驱体氧化物包括：含量从约40摩尔％至低于约100摩尔％的氧化钇、含量从约5摩尔％至约45摩尔％的氧化锆、和含量从约5摩尔％至高达约10摩尔％的氧化铌。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述物体由铝或铝合金，以及在所述铝或铝合金上方的厚度从约0.5mil到约4mil的氧化铝层制成，从而所述喷涂陶瓷涂层被施加到所述氧化铝层上。

6.如权利要求5所述的方法，其中在施加所述喷涂陶瓷涂层期间，所述氧化铝层的温度范围为：从约150℃到比所述氧化铝的玻璃转换温度要小的温度。

7.一种在用于半导体处理室内的物体表面提供喷涂陶瓷涂层的方法，所述喷涂陶瓷涂层表现出对含卤素等离子体的抗腐蚀性，并且表现出在1000V下测得的、大约为200℃下最大10¹¹Ω·cm，50℃下最大10¹⁴Ω·cm的电阻率，从而降低等离子体在半导体处理室中出现电弧的几率，其中所述涂层是利用选自下列的技术来喷涂的：火焰喷涂、热喷涂、和等离子体喷涂，且其中所述涂层包含至少一种含钇固溶体，并且其中所述陶瓷涂层是由至少三种前驱体氧化物形成的，所述至少三种前驱体氧化物包括：含量从约60摩尔％至约75摩尔％的氧化钇、含量从约15摩尔％至约25摩尔％的氧化锆、和含量从约5摩尔％至高达约15摩尔％的氧化铌。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述物体由铝或铝合金，以及在所述铝或铝合金上方的厚度从约0.5mil到约4mil的氧化铝层制成，从而所述喷涂陶瓷涂层被施加到所述氧化铝层上。

9.如权利要求8所述的方法，其中在施加所述喷涂陶瓷涂层期间，所述氧化铝层的温度范围为：从约150℃到比所述氧化铝的玻璃转换温度要小的温度。

10.一种在用于半导体处理室内的物体表面提供喷涂陶瓷涂层的方法，所述喷涂陶瓷涂层表现出对含卤素等离子体的抗腐蚀性，并且表现出在1000V下测得的，大约为200℃下最大10¹¹Ω·cm，50℃下最大10¹⁴Ω·cm的电阻率，从而降低等离子体在半导体处理室中出现电弧的几率，其中所述涂层是利用选自下列的技术来喷涂的：火焰喷涂、热喷涂、和等离子体喷涂，且其中所述涂层包含至少一种含钇固溶体，并且其中所述陶瓷涂层是由至少三种前驱体氧化物形成的，所述至少三种前驱体氧化物包括：浓度从约40摩尔％至小于约100摩尔％的氧化钇、浓度从约5摩尔％至约45摩尔％的氧化锆、和浓度从约5摩尔％至高达约10摩尔％的氧化铌。