[发明专利]一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法

说明书

本申请是国际申请号为PCT/US2008/009221，国际申请日为2008年7月30日，进入中国国家阶段的申请号为200880101675.8，名称为“一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法”的发明专利申请的分案申请。

本申请是Jennifer Y.Sun等人于2004年7月22日申请的题为“Clean Dense Yttrium Oxide Coating Protecting Semiconductor Apparatus”的审查中美国专利申请No.10/898,113以及Jennifer Y.Sun等人于2007年4月27日申请的题为“Method of Reducing The Erosion Rate Of Semiconductor Processing Apparatus Exposed To Halogen-Containing Plasmas”的审查中美国专利申请No.11/796,210的部分接续申请。本申请还涉及与本申请具有共同发明人的一系列申请。下面所列的所有其他相关申请适于使用包含氧化钇的陶瓷来提供用于半导体处理设备的抗等离子体表面。这些其他相关申请包括：Sun等人2007年4月27日申请的题为“Method And Apparatus WhichReduce The Erosion Rate Of Surfaces Exposed To Halogen-Containing Plasmas”的审查中美国专利申请No.11/796,211；Sun等人于2004年8月13日申请的题为“Gas Distribution Plate Fabricated From A Solid YttriumOxide-Comprising Substrate”的审查中美国专利申请No.10/918,232；以及Sun等人于2002年2月14日申请的题为“Yttrium Oxide Based Surface Coating For Semiconductor IC Processing Vacuum Chambers”、于2004年8月17日公布为美国专利No.6,776,873的美国专利申请No.10/075,967。上面所列申请的接续案和分案的其他申请的相关申请包括：Wang等人于2006年11月10日申请的题为“Cleaning Method Used In Removing Contaminants From The Surface Of An Oxide or Fluoride Comprising a Group III Metal”、并且是美国申请No.10/898,113的分案申请的审查中美国专利申请No.11/595,484；以及Wang等人于2006年11月3日申请的题为“CleaningMethod Used In Removing Contaminants From A Solid Yttrium Oxide-Containing Substrate”、并且是美国申请No.10/918,232的接续案的审查中美国专利申请No.11/592,905。这些专利和申请的所有主题通过引用而结合与此。

技术领域

本发明涉及一种喷涂包含特化氧化钇陶瓷(specialized yttrium oxide-comprising ceramic)的方法，该特化氧化钇陶瓷主要包含固溶体陶瓷，其对半导体处理设备中常见的等离子体具有高度抵抗性。

背景技术

此部分描述与本发明公开的实施例相关的背景主题。此部分中所讨论的背景技术无论是表述的还是暗示的都不倾向于构成法律意义上的现有技术。

对于经常处于腐蚀环境下的半导体处理室内的设备组件与衬垫来说，耐腐蚀性是相当关键的性质。虽然半导体处理环境(包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和物理气相沉积(PVD))经常出现腐蚀性等离子体，但最具腐蚀性的等离子体环境是那些用来清洁处理设备以及蚀刻半导体衬底的等离子体，特别是高能等离子体加上组件表面上化学活性下的腐蚀性等离子体环境更是如此。当腐蚀性气体(即使没有等离子体存在)与处理设备表面接触时，降低设备组件表面上或处理室衬垫表面上的化学活性是一项相当重要的性质。