[发明专利]一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法

权利要求书

1.一种基于III-V族氮化镓智能功率集成电路的实现方法，其特征在于： 

GaN半导体材料制备的半导体器为宽禁带半导体材料器件，承受较高电压，可应用于高压电子器件领域； 

Si材料制备的半导体器件，承受电压能力较低，主要用于驱动的数字逻辑电路以及低压模拟电路； 

所述的GaN半导体材料制备的半导体装置是基于<111>晶向衬底外延上制作的； 

所述的Si半导体材料制备的半导体装置是基于<100>晶向衬底上制作的； 

所述的基于<111>晶向衬底的材料与所述基于<100>晶向衬底的材料通过一定的方法键合集成。 

2.如权利要求1所述的GaN半导体材料制备的半导体装置结构，所述半导体装置衬底包括晶向为<111>的任意掺杂的Si基衬底。 

3.如权利要求1所述的Si基半导体材料制备的半导体装置结构，所述半导体装置衬底为任意掺杂的<100>晶向的硅材料。 

4.如权利要求1所述的<111>晶向的衬底与所述的<100>晶向的衬底通过一定的方法利用SOI技术达到键合集成的目的。