[发明专利]一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种平面转换模式的阵列基板，包括：基板和位于所述基板表面的钝化层，其特征在于，所述阵列基板还包括：

位于所述钝化层表面、且存在凹槽的第一有机膜；以及

位于所述凹槽外的所述第一有机膜表面的公共电极和位于所述凹槽内的像素电极；其中，所述公共电极在所述钝化层表面的垂直投影区域和所述像素电极在所述钝化层表面的垂直投影区域不重合；

位于所述第一有机膜上的第二有机膜，其中，所述第二有机膜覆盖所述像素电极并暴露所述公共电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽底部暴露所述钝化层；则

所述像素电极上方的第二有机膜的厚度和所述像素电极的厚度之和不大于所述公共电极下方的第一有机膜的厚度。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽底部暴露所述第一有机膜；则

所述像素电极上方的第二有机膜的厚度、所述像素电极的厚度以及所述像素电极下方的第一有机膜的厚度之和不大于所述公共电极下方的第一有机膜的厚度。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，第一有机膜的厚度和第二有机膜的厚度均大于等于1μm。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，任意所述公共电极在所述钝化层表面的垂直投影区域满足：与该公共电极相邻的所述像素电极在所述钝化层表面的垂直投影区域之间的距离不小于2μm。

6.一种液晶显示器，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，液晶层形成在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。

7.一种平面转换模式的阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在所述阵列基板的钝化层表面形成第一有机膜；并

通过对预定位置垂直投影在第一有机膜的区域进行蚀刻，去除部分第一有机膜；其中，所述预定位置满足：包含像素电极位置、且至少不包含第一有机膜表面的公共电极位置垂直投影在像素电极位置所在表面的区域；

在所述像素电极位置形成像素电极，同时在第一有机膜表面的公共电极位置形成公共电极；

在所述像素电极和所述公共电极上覆盖第二有机膜；

按照保留覆盖所述预定位置的第二有机膜的同时暴露所述公共电极的原则，蚀刻所述第二有机膜。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述像素电极位置位于所述钝化层的表面；则

通过对预定位置垂直投影在第一有机膜的区域进行蚀刻，去除部分第一有机膜，具体包括：

通过对预定位置垂直投影在第一有机膜的区域进行蚀刻，直至所述预定位置的所在区域暴露所述钝化层。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，按照保留覆盖所述预定位置的第二有机膜的同时暴露所述公共电极的原则，蚀刻所述第二有机膜，具体包括：

按照保留覆盖所述预定位置的第二有机膜的同时暴露所述公共电极的原则，以及使得所述像素电极的厚度与所述像素电极上方的第二有机膜的厚度之和不大于所述公共电极下方的第一有机膜的厚度的原则，蚀刻所述第二有机膜。

10.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述像素电极位置位于第一有机膜表面。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，形成像素电极以及公共电极之后，所述方法还包括：

在所述像素电极和所述公共电极上覆盖第二有机膜；

按照保留覆盖所述预定位置的第二有机膜的同时暴露所述公共电极的原则，蚀刻所述第二有机膜。

12.如权利要求11所述的制造方法，其特征在于，按照保留覆盖所述预定位置的第二有机膜的同时暴露所述公共电极的原则，蚀刻所述第二有机膜，具体包括：

按照保留覆盖所述预定位置的第二有机膜的同时暴露所述公共电极的原则，以及使得所述像素电极的厚度、所述像素电极下方的第一有机膜的厚度与所述像素电极上方的第二有机膜的厚度之和不大于所述公共电极下方的第一有机膜的厚度的原则，蚀刻所述第二有机膜。