[发明专利]一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器发展越来越迅速，已经成为主流的平板显示器。从出现至今，薄膜晶体管液晶显示器已经发展出多个种类，其驱动模式和显示效果不尽相同，各有所长。其中，平面转换（In-Plane Switching，IPS）模式的薄膜晶体管液晶显示器（包含IPS模式的阵列基板）以其特有的结构特点和驱动原理，表现出了优良的显示能力和效果。

如图1所示，为IPS模式的阵列基板的平面图。其中，当从阵列基板表面的法向观察时，像素电极1和公共电极2之间具有用于避免短路故障的特定间隙7。

如图2a至图2c所示，为现有技术中的阵列基板在其连续制作步骤中沿图1中线I—I'截取的截面图。如图2a至图2c所示，首先在如图2a所示的钝化层3的表面形成如图2b所示的第一有机膜4，然后在第一有机膜4的表面形成如图2c所示的间隔排列的条状像素电极1和条状公共电极2。由于像素电极1和公共电极2被设置在阵列基板的同一平面上，进行显示的时候，该阵列基板的开口率较小，因此光线透过率较低。

如图3a至图3d所示，为现有技术中的阵列基板在其另一种连续制作步骤中沿图1中线I—I'截取的截面图。如图3a至图3d所示，首先在如图3a所示的钝化层3的表面形成如图3b所示的条状像素电极1，然后形成覆盖像素电极1的如图3c所示的第一有机膜4，并在第一有机膜4的表面形成如图3d所示的条状公共电极2。这种制作方法中，像素电极1和公共电极2被设置在同一阵列基板的不同平面上，因此能够提高透过率，但是像素电极1和公共电极2却是分两次完成的。按照上述制造步骤，在形成公共电极2的时候，像素电极1已被第一层有机膜4覆盖，无法以像素电极1的位置为参照基准来形成公共电极2，因此像素电极1和公共电极2之间的特定间隙就很容易出现偏差，从而导致像素电极1和公共电极2与各自的预定位置之间的重合精度比较差。

综上所述，目前还没有一种阵列基板可以同时实现既有较高的透过率，又可以克服像素电极和公共电极与各自的预定位置之间的重合精度比较差的缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种液晶显示器、平面转换模式的阵列基板及其制造方法，用以解决现有技术中的IPS模式的阵列基板不能同时实现既有较高的透过率，又能提高像素电极和公共电极与各自的预定位置之间的重合精度的问题。

本发明实施例采用以下技术方案：

一种平面转换模式的阵列基板，包括：基板和位于所述基板表面的钝化层，还包括：位于所述钝化层表面、且存在凹槽的第一有机膜；以及位于所述凹槽外的所述第一有机膜表面的公共电极和位于所述凹槽内的像素电极；其中，所述公共电极在所述钝化层表面的垂直投影区域和所述像素电极在所述钝化层表面的垂直投影区域不重合。

一种液晶显示器，包括上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，液晶层形成在所述阵列基板和所述彩膜基板之间。

一种平面转换模式的阵列基板的制造方法，包括：在所述阵列基板的钝化层表面形成第一有机膜；并通过对预定位置垂直投影在第一有机膜的区域进行蚀刻，去除部分第一有机膜；其中，所述预定位置满足：包含像素电极位置、且至少不包含第一有机膜表面的公共电极位置垂直投影在像素电极位置所在表面的区域；在所述像素电极位置形成像素电极，同时在第一有机膜表面的公共电极位置形成公共电极。

与现有技术相比，本发明技术方案具有以下有益效果：

由于像素电极位于第一有机膜的凹槽内，公共电极位于凹槽外的第一有机膜表面，使得像素电极和公共电极既可以被设置在同一阵列基板的不同平面上，还可以一次完成，因此既能保证该阵列基板的透光率，又能精确的控制像素电极和公共电极之间的特定间隙，提高像素电极和公共电极与各自的预定位置之间的重合精度。

附图说明

图1为IPS模式的阵列基板的平面图；

图2a至图2c为现有技术中的阵列基板在其连续制作步骤中沿图1中线I—I'截取的截面图；

图3a至图3d为现有技术中的阵列基板在其另一种连续制作步骤中沿图1中线I—I'截取的截面图；

图4为本发明实施例提供的一种沿图1中阵列基板的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程示意图；

图6a至图6e为本发明实施例提供的一种阵列基板在其连续制作步骤中的截面图；

图7为本发明实施例提供的另一种沿图1中阵列基板的剖面结构示意图；