[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一基板，具有一外侧面及一底面；

一接地层，内埋该基板且横向地延伸，并从该基板的该外侧面露出；

一芯片，设于该基板上；

一封装体，包覆该芯片且具有一外侧面；以及

一屏蔽层，覆盖该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面及露出的该接地层，其中该屏蔽层的底面与该基板的该底面相间隔。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层直接延伸至该基板的该外侧面。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层与该基板的该外侧面相间隔，该半导体封装件更包括：

一接地走线，从该接地层延伸至该基板的该外侧面。

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层与该基板的该外侧面相间隔，该半导体封装件更包括：

一接地走线，延伸至该基板的该外侧面，且与该接地层配置于该基板的相异二层；以及

一导通孔，形成于该接地走线与该接地层之间，以电性连接该接地走线与该接地层。

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，包括：

数个该接地层，内埋于该基板。

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层的横向面积占该基板的横向面积的5%至50%。

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层的直向厚度介于5微米至50微米之间。

8.一种半导体封装件，包括：

一基板，具有一外侧面；

一接地层，形成于该基板，该接地层横向地延伸，且与该基板的该外侧面相间隔；

一接地走线，形成于该基板，且从该接地层延伸至该基板的该外侧面而露出于该基板的该外侧面，其中该接地走线的宽度小于该接地层的宽度；

一芯片，设于该基板上；

一封装体，包覆该芯片且具有一外侧面；以及

一屏蔽层，覆盖该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面及露出的该接地走线。

9.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该基板具有一底面，该接地层形成于该基板的该底面。

10.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层内埋于该基板内。

11.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该接地走线具有一外侧面从该基板的该外侧面露出，该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面与该接地走线的该外侧面对齐。

12.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，包括：

数个该接地层，形成于该基板；以及

数个该接地走线，各该接地走线从对应的该接地层延伸至该基板的该外侧面。

13.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层与该接地走线的横向面积的合占该基板的横向面积的5%至50%。

14.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层的直向厚度与该接地走线的直向厚度各介于5微米至50微米之间。

15.如权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该接地层具有一从该基板的该外侧面露出的外侧面，该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面与该接地层的该外侧面对齐。

16.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一基板，该基板具有一底面且内埋有一横向延伸的接地层；

设置一芯片于该基板上；

形成一封装体包覆该芯片；

形成一第一切割道经过该封装体、该基板的一部分及该接地层，使该封装体及该基板各形成一外侧面，其中该接地层从该基板的该外侧面露出；

形成一屏蔽层覆盖该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面及露出的该接地层；以及

形成一第二切割道经过该基板的其余部分，以切断该基板并于该屏蔽层形成一底面，其中该屏蔽层的该底面与该基板的该底面相间隔。

17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，该第二切割道的宽度大于该第一切割道的宽度。

18.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一基板，一接地层形成于该基板，该接地层横向地延伸，且一接地走线形成于该基板，其中该接地走线的宽度小于该接地层的宽度；

设置一芯片该基板上；

形成一封装体包覆该芯片；

形成一切割道经过该封装体、该基板及该接地走线，使该封装体及该基板各形成一外侧面，其中该接地层与该基板的该外侧面相间隔而该接地走线从该基板的该外侧面露出；以及

形成一屏蔽层覆盖该封装体的该外侧面、该基板的该外侧面及露出的该接地走线。