[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种具有导电柱的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统堆迭式半导体封装件包括多个基板，数个基板之间以电性接点对接。然而，在对接过程中，二基板很容易左右滑动而错位，反而导致二基板的电性接点彼此对不准。此外，在对接后的回焊工艺中，电性接点会因为熔化而呈流动性，进而流至邻近的电性接点而导致因为桥接(bridge)所发生的电性短路(short)，或是在上、下基板对接时因为基板本身的翘曲，造成基板之间的局部间距较小，产生电性接点的焊料受到挤压而往外扩而导致桥接问题。因此，如何解决对接过程的偏位问题及改善桥接问题，是本技术领域业界努力重点之一。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，可改善因为桥接所发生的电性短路问题。

根据本发明，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一第一基板、一第一电性接点、一第一突出部、一导电柱、一第二基板、一第二突出部、一焊料、一第二电性接点、一芯片及一黏合层。第一基板具有一表面。第一电性接点形成于第一基板的表面。第一突出部位于第一基板的表面上。导电柱电性连结第一电性端点，其中导电柱包含一端部及一侧面，导电柱的侧面的一部分被第一突出部包覆，而侧面的另一部分突出于第一突出部。第二基板具有相对的一第一表面与一第二表面，其中第二基板的第一表面与第一基板的表面彼此相对。第二突出部形成于第二基板的第一表面上且具有一容置凹部。焊料容置于容置凹部内。第二电性接点形成于第二基板的第二表面，且电性连接于焊料。芯片设于第一基板与第二基板之间。黏合层包覆芯片且黏合第一基板的表面与第二基板的第一表面并围绕导电柱的侧面的另一部分。其中，导电柱的端部位于容置凹部内而与焊料对接。

根据本发明，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一第一基板，第一基板具有一表面且表面上形成有一第一电性接点及一第一突出部，其中该第一突出部包覆部分一导电柱，导电柱电性连接第一电性接点；提供一第二基板，第二基板具有相对的一第一表面与一第二表面，第二基板的第一表面与第一基板的表面彼此相对，第一表面上形成有一焊料及一第二突出部，其中第二突出部具有一容置凹部，焊料容置于容置凹部内；设置一芯片于第一基板或第二基板上；形成一黏合体于第一基板或第二基板上；对接第一基板与第二基板，使导电柱经由容置凹部与焊料对接，并使黏合体于压力下黏合第一基板及第二基板并围绕部分焊料、导电柱的侧面的另一部分及芯片；以及，固化黏合体形成一黏合层。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的剖视图。

图2绘示依照本发明实施例的半导体封装件的翘曲测试图。

图3，其绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图4绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图5绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图6绘示依照本发明另一实施例的半导体封装件的剖视图。

图7A至7G绘示图1的半导体封装件的制造过程图。

图8A至8B绘示图5的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100、200、300、400、500：半导体封装件

110：第一基板

110b、150b：下表面

110s、120s、140s、150s、180s：外侧面

110u、120u、420u：上表面

111：第一电性接点

112：线路层

113：第一防焊层

115：芯片

116：凸块

120、420：第一突出部

120r：第一凹部

130：导电柱

130e：端面

130s1：第一侧面

130s11、161：第一部分

130s12、162：第二部分

130s2：第二侧面

131：端部

140：第二基板

140b：第一表面

140u：第二表面

141：第三防焊层

150：第二突出部

150r1：容置凹部

150r2：第二凹部

150a：开口