[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310329856.9 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103413783A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 沈奇雨 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层；
利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述低掺杂区的长度为1～2微米。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层之前，还包括：
在所述基板上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成非晶硅层，并进行激光退火工艺，形成多晶硅层；
通过第一次构图工艺，形成多晶硅层的硅岛。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层之后，还包括：
对所述硅岛进行激光退火工艺。
5.根据权利要求3或4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区包括：
利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的待掺杂区；
对所述待掺杂区进行离子掺杂工艺，形成低掺杂区。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括栅极金属层和位于所述栅极金属层两侧且长度相同的低掺杂区。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述低掺杂区的长度为1～2微米。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-7任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
