[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）是在封装过程中，利用准分子激光作为热源，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子激光的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可适用。

LTPS-TFT LCD因其具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点而得到广泛的应用，但现有技术中的阵列基板上的TFT需分别通过两个掩膜板以形成栅极和低掺杂区，光刻设备在制作完成栅极之后，需要更换掩膜板来制作低掺杂区，两个掩膜板之间很可能存在对位误差，导致本应对称位于栅极两侧的两个低掺杂区的长度不一致，不一致的低掺杂区降低了TFT抑制漏电流的能力，导致漏电流过大，增大了LTPS-TFT LCD的功耗。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够使得LTPS-TFT的两个低掺杂区的长度一致，保证了LTPS-TFT抑制漏电流的能力。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

本发明的第一方面提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层；

利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。

所述低掺杂区的长度为1～2微米。

所述利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层之前，还包括：

在所述基板上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成非晶硅层，并进行激光退火工艺，形成多晶硅层；

通过第一次构图工艺，形成多晶硅层的硅岛。

所述利用掩膜板，在所述阵列基板上形成栅极金属层之后，还包括：

对所述硅岛进行激光退火工艺。

所述用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区包括：

利用所述掩膜板，控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，以形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的待掺杂区；

对所述待掺杂区进行离子掺杂工艺，形成低掺杂区。

在本发明实施例的技术方案中，在形成栅极金属层后，利用形成栅极金属层的掩膜板，并通过控制曝光能量，使得曝光的特征尺寸大于所述栅极金属层的尺寸，形成位于栅极金属层的两侧且长度相同的低掺杂区。防止了由于更换掩膜板导致的对位误差的出现，保证了低掺杂区的长度相同，保证了LTPS-TFT抑制漏电流的能力，进而减小了漏电流，降低了LTPS-TFT LCD的功耗。

本发明的第二方面提供了一种阵列基板，包括栅极金属层和位于所述栅极金属层两侧且长度相同的低掺杂区。

所述低掺杂区的长度为1～2微米。

本发明的第三方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的阵列基板的制作方法的流程示意图一；

图2为本发明实施例中的阵列基板的制作方法的流程示意图二；

图3为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图一；

图4为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图二；

图5为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图三；

图6为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图四；

图7为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图五；

图8为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图六；

图9为本发明实施例中的阵列基板的结构示意图七。

附图标记说明：

1—基板；         2—第一绝缘层；     3—硅岛；

4—掩膜板；       5—栅极绝缘层；     6—栅极金属层；