[发明专利]一种电容屏OGS结构制作工艺及其用于制造OGS结构的涂布刀头

权利要求书

1.一种电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于，制造步骤如下：

步骤1、在盖板玻璃一面镀制ITO层；

步骤2、将ITO层制作成高温ITO跳跃导体层，同时在边缘制作出两组对位靶标；

步骤3、涂布光刻胶，设有对位靶标的边缘部分不涂布光刻胶，并利用步骤2中一组对位靶标将涂布的光刻胶制成BM边框；

步骤4、利用步骤2中另一组对位靶标将制作绝缘架桥层，再在边缘制作出三组组位靶标；

步骤5、镀制ITO层；

步骤6、利用步骤4中的一组对位靶标将ITO层制成低温ITO单元图案层;

步骤7、在低温ITO单元图案层上镀上一层金属导电层；

步骤8、利用步骤4中的一组对位靶标将金属导电层制作成导电图层；

步骤9、利用步骤4中的一组对位靶标在导电图层外制作一层树脂保护层。

2.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤1中ITO层采用真空磁控溅射方法进行高温镀制。

3.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤1、2中由ITO层制成高温ITO跳跃导体层采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对ITO层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜。

4.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤3中由光刻胶制成BM边框采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对BM黑膜层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤。

5.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤4绝缘架桥层制作于BM边框上，采用触控屏黄光光刻方式制作，依次进行涂布，烘烤，曝光、显影，硬烤工艺处理。

6.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤5中ITO层采用真空磁控溅射方法进行低温镀制，渡制温度为25-35℃。

7.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤5、6中由ITO层制成低温ITO单元图案层采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对ITO层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、烘烤、剥膜，其中所述的烘烤温度为200-220℃，持续时间20-30分钟。

8.根据权利要求1所述的电容屏OGS结构制作工艺，其特征在于：所述的步骤7中由金属导电层制成导电图层采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对金属导电层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜。

9.一种用于制造OGS结构的涂布刀头，所述的涂布刀头由两个刀片合并构成，所述的刀片之间存在涂布间隙，其特征在于：所述的间隙两端各设有一个垫片，所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度。

10.根据权利要求9所述的涂布刀头，其特征在于：所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度至20m，所述的垫片厚度为40um。