[发明专利]一种电容屏OGS结构制作工艺及其用于制造OGS结构的涂布刀头

说明书

技术领域

本发明涉及电容触控屏的生产设备及其生产工艺。 

背景技术

在社会进步快速发展下，人们对触摸屏追求越来越高。为了满足智能终端超薄化和提升显示效果需求，OGS结构已经得到广泛的运用，OGS即在保护玻璃（盖板）上直接形成ITO导电膜及传感器的技术。一块玻璃同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用，能达到节省了一层玻璃成本和减少了一次贴合成本，减轻了重量及厚度; 增加了透光度，将是高端品牌终端的必然选择。 

目前OGS结构产品其触摸屏必须形成在ITO导电膜及传感器技术的保护玻璃（盖板）上，制成过程采用黄光技术制作出BM（黑色光刻胶）边框图案层来代替原本单片，ITO导电膜与盖板贴合技术中的贴合盖板上油墨边框图案。同时在制作OGS结构产品中，由于BM光刻胶在正常溅镀温度为300-350℃真空磁控溅射方式溅镀ITO时不能耐高温，会导致产品存在以下几个问题： 

1、在正常300-350℃真空磁控溅射方式溅镀ITO时， BM光刻胶中很有一定的稀释剂水分，产生溅镀时有“放气”现象。破坏镀膜机腔体真空度，导致溅镀出来的ITO面电阻难以控制在标准范围内； 

2、BM在正常高温溅镀温度为300-350℃下。由于BM耐高温性差导致高温溅镀后BM光刻胶与玻璃附着力不佳，在制作完成出货时可依赖性测试中（高温，高湿。冷热冲击测试）会有脱落现象； 

3、正常GOS metal-jumper制程结构，金属跳跃图层反射率高，外观会存在跳跃导体图层眩光产生“麻点”现象影响外观，往往达不到高端客户需要。  

发明内容

本发明所要解决的技术问题是实现一种可以避免metal-jumper结构生产时外观麻点的现象。 

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种电容屏OGS结构制作工艺，制造步骤如下：

步骤1、在盖板玻璃一面镀制ITO层； 

步骤2、将ITO层制作成高温ITO跳跃导体层，同时在边缘制作出两组对位靶标； 

步骤3、涂布光刻胶，设有对位靶标的边缘部分不涂布光刻胶，并利用步骤2中一组对位靶标将涂布的光刻胶制成BM边框； 

步骤4、利用步骤2中另一组对位靶标将制作绝缘架桥层，再在边缘制作出三组对位靶标； 

步骤5、镀制ITO层； 

步骤6、利用步骤4中的一组对位靶标将ITO层制成低温ITO单元图案层; 

步骤7、在低温ITO单元图案层上镀上一层金属导电层； 

步骤8、利用步骤4中的一组对位靶标将金属导电层制作成导电图层； 

步骤9、利用步骤4中的一组对位靶标在导电图层外制作一层树脂保护层。 

进一步的，所述的步骤1中ITO层采用真空磁控溅射方法进行高温镀制。 

进一步的，所述的步骤1、2中由ITO层制成高温ITO跳跃导体层采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对ITO层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜。 

进一步的，所述的步骤3中由光刻胶制成BM边框采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对BM黑膜层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤。 

进一步的，所述的步骤4绝缘架桥层制作于BM边框上，采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次进行涂布，烘烤，曝光、显影，硬烤工艺处理。 

进一步的，所述的步骤5中ITO层采用真空磁控溅射方法进行低温镀制，渡制温度为25-35℃。 

进一步的，所述的步骤5、6中由ITO层制成低温ITO单元图案层采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对ITO层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、烘烤、剥膜，其中所述的烘烤温度为200-220℃，持续时间20-30分钟。 

进一步的，所述的步骤7中由金属导电层制成导电图层采用触摸屏黄光光刻方式制作，依次对金属导电层进行清洗、涂布、软烤、曝光、显影、硬烤、蚀刻、剥膜。 

一种用于制造OGS结构的涂布刀头，所述的涂布刀头由两个刀片合并构成，所述的刀片之间存在涂布间隙，所述的间隙两端各设有一个垫片，所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度。 

所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度20mm，所述的垫片厚度为40um。 

本发明的优点在于，通过该工艺方式制作电容屏可以有效保证产品质量，同时该工艺通过颠倒制作工序以及改造涂布机刀头避让靶标的方式，使对位靶标不被BM光刻胶遮挡，可以有效确保产品能达到一些高端客户需求，避免外观麻点现象的发生。 

附图说明