[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

一基板，包括一接地部；

数个芯片，设于该基板；

一封装体，包覆所述芯片且具有一上表面；

一贯穿部，从该封装体的该上表面延伸至该接地部，该贯穿部隔离所述芯片；

一导电元件，包括种子层及填充层，其中该种子层覆盖于该贯穿部的内侧壁上，且该填充层填满该贯穿部的该内侧壁内以电性连接该接地部；以及

一屏蔽层，形成于该封装体的外侧面及该上表面，且通过该导电元件电性连接该接地部；

其中，该导电元件包括导电层及数个孔洞，所述导电元件由数个导电颗粒经过熔融过程及冷却收缩而产生所述导电层及所述孔洞，所述孔洞占该导电元件的比例小于50%。

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该贯穿部的内径由该封装体的该上表面往该基板的方向渐缩。

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该贯穿部包括一较大开孔及一较小开孔，该较大开孔从该封装体的该上表面往该基板的方向延伸而与该较小开孔相通，且该较大开孔的底面环绕该较小开孔的开口。

4.一种半导体封装件的制造方法，包括：

提供一基板，该基板包括一接地部；

设置数个芯片于该基板上；

形成一封装体包覆所述芯片；

形成一贯穿部从该封装体的一上表面延伸至该接地部；

形成一种子层于该贯穿部的内侧壁上，其中该种子层覆盖于该贯穿部的内侧壁上；

形成一填充层填入该贯穿部的该内侧壁内，以将该种子层抵压于该贯穿部的该内侧壁上，以电性连接该接地部；

形成一切割道经过该封装体，使该封装体形成一外侧面；以及

形成一屏蔽层覆盖该封装体的该外侧面及该上表面，该屏蔽层通过导电元件电性连接该接地部，该导电元件包括该种子层和该填充层。

5.如权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，形成该种子层的步骤由无电镀技术完成。

6.如权利要求4所述的半导体封装件的制造方法，其特征在于，于形成该填充层填入该贯穿部的该内侧壁的步骤前，该制造方法更包括：

形成一保护层覆盖该封装体的该上表面。