[发明专利]一种降解偏二甲肼的恶臭假单胞菌C2及其降解偏二甲肼的方法无效
申请号: | 201310331923.0 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN103667098A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 谭世语;赵辉;王力;夏本立;郭骅;赵亚楠;黄兆云;刘又畅 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | C12N1/20 | 分类号: | C12N1/20;C02F3/34;C12R1/40;C02F101/38 |
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地址: | 400044 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降解 二甲 恶臭 假单胞菌 c2 及其 方法 | ||
1.一种降解偏二甲肼的恶臭假单胞菌C2,其特征在于,该恶臭假单胞菌C2作为降解偏二甲肼的菌种,所述恶臭假单胞菌C2的保藏编号为CGMCC No.7590。
2.一种利用权利要求1降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
A将恶臭假单胞菌C2的菌种接种于斜面培养基,经培养得到斜面培养物;
B将所述斜面培养物接种于装有培养液的锥形瓶中培养,得到种子富集液;
C将所述种子富集液投加到膜生物反应器内的活性污泥中,闷曝24~32h后,运行膜生物反应器对偏二甲肼废水进行处理。
3.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼方法,其特征在于,所述步骤A的具体包括:所述恶臭假单胞菌C2的菌种在温度为20~30℃的斜面培养基中培养10~12h。
4.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述步骤B具体包括:所述斜面培养物接种至装有1L培养液的锥形瓶中,在摇瓶转速为100~200r/min、温度为25~35℃的条件下,培养18~24h。
5.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述步骤C具体包括:所述种子富集液为膜生物反应器内活性污泥体积百分比的1~20%接种量投加到膜生物反应器内的活性污泥中,闷曝24~32h,运行膜生物反应器对偏二甲肼进行降解。
6.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述斜面培养基的原料组分包括:牛肉膏3~5g/L、豆粕1~2g/L、麦芽糖0.5~1.5g/L、磷酸氢二钠1~2g/L、磷酸二氢钾0.5~1.5g/L、硫酸亚铁0.1~0.5g/L、琼脂10~15g/L。
7.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述培养液的原料组分包括:牛肉膏3~5g/L、豆粕1~2g/L、麦芽糖0.5~1.5g/L、磷酸氢二钠1~2g/L、磷酸二氢钾0.5~1.5g/L、硫酸亚铁0.1~0.5g/L。
8.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述膜生物反应器运行参数为:流量16L/h,压力0.02MPa,溶解氧2.5mg/L,水力停留时间18h,污泥浓度10g/L。
9.根据权利要求2所述的降解偏二甲肼的方法,其特征在于,所述偏二甲肼废水中偏二甲肼的浓度为50mg/L和90mg/L。
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