[发明专利]基于介电泳效应的双平面研磨/抛光圆柱形零件设备

说明书

技术领域

本发明涉及圆柱形零件加工设备，尤其是基于介电泳效应的双平面研磨/抛光圆柱形零件设备。

背景技术

目前，圆柱形零件的批量加工国内外普遍采用无心磨削的方式，由于加工过程中砂轮、导轮等部件的磨损，各个圆柱形零件的加工条件稳定性无法始终一致，从而很难获得高精度、批一致性的圆柱形零件。随着对设备仪器性能要求的不断提高，需要更多高精度、批一致性优越的圆柱形零件。因此，迫切需要开发一种适合高精度、批一致性高、成本低的圆柱形零件的加工设备。

采用双平面研磨/抛光设备加工圆柱形零件，通过抛光盘旋转形成与工件之间的相对速度，借助注入抛光区域的抛光液及其中的磨粒，实现工件材料去除。由于抛光盘旋转，抛光液受到离心力作用，总是具有离开抛光盘的趋势，抛光盘转速越快，抛光液驻留加工区域的时间就越短。这势必导致只有少部分抛光液进入实际抛光区域参与材料去除，而大部分抛光液被甩出抛光盘，不能充分发挥作用。抛光液的无效损耗大大增加了生产成本。同时，离心力使抛光液越靠近抛光垫周缘分布越厚并沿抛光垫径向位置呈现不均匀分布，工件中心部分与周缘部分之间呈现较大的抛光率差，降低了工件的抛光精度。传统抛光方式通常采用较低的抛光盘转速，这严重限制了抛光加工的效率。因此，如何提高抛光液在加工区域的驻留时间，已成为实现高效、高质量、低成本抛光加工所面临的主要问题之一。

发明内容

为了克服已有圆柱形零件外圆加工装置的无法解决抛光液及磨粒受离心力作用从加工区域甩出、抛光液在加工区域分布不均匀、抛光效率较低的不足的问题，本发明提供一种有效减缓磨粒和抛光液受离心力作用从加工区域甩出问题、抛光液在加工区域分布较均匀、提升抛光效率、提高抛光精度的基于介电泳效应的双平面研磨/抛光圆柱形零件设备。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种基于介电泳效应的双平面研磨/抛光圆柱形零件设备，包括上抛光盘、保持架和下抛光盘，所述上抛光盘位于下抛光盘上方，所述保持架位于上抛光盘与下抛光盘之间；所述的上抛光盘上安装第一电极板，所述第一电极板与交流电源的第一引出端连接，所述下抛光盘上安装第二电极板，所述第二电极板与所述交流电源的第二引出端连接；所述的交流电源的电流输入端与用于控制所述的交流电源的电压与频率的调频调压控制器连接。

进一步，所述的上抛光盘内安装有第一绝缘板，所述第一电极板安装在所述第一绝缘板上；所述的下抛光盘内安装有第二绝缘板，所述第二电极板安装在所述第二绝缘板上。

所述的上抛光盘为绝缘材料抛光盘，所述的下抛光盘为绝缘材料抛光盘。

再进一步，所述加工装置还包括抛光液输入器，所述抛光液输入器的出料口位于所述上抛光盘、下抛光盘之间。

更进一步，所述保持架的转轴和下抛光盘的转轴呈同轴设置，所述上抛光盘的转轴与所述保持架的转轴存在确定偏距，加载装置位于所述上抛光盘上。

所述下抛光盘的转轴呈中空状，下抛光盘的中部开有通孔，所述保持架的转轴穿过所述下抛光盘的转轴内腔和通孔。

所述保持架的中心孔与保持架的转轴相连。

所述保持架呈圆盘状，所述保持架的盘面上开有供待加工零件放置的加工槽，呈放射状、同心圆状或栅格状分布。

本发明的技术构思为：世界上的中性物质都具有等量的正电、负电，并且散布在物体内部各处，若是在这物质之外有正电极或负电极靠近（电场存在时），依着同性相斥、异性相吸的原理，负电极靠近的时侯，物体内的正电会偏向被负电极靠近的表面，使得该物体在电场中也会有异性相吸、同性相斥的现象。传统电泳是指带电微粒在均匀电场中受到电场作用力。介电泳是指中性微粒在非均匀电场中极化，发生极化后的微粒因电场强度分布不同，使两端所受的电场力大小不同，因而朝向所受电场强度大的电极方向移动，所受电场作用力称为介电泳作用力。中性微粒在交流电场中会被极化而运动。整个介电泳系统因为交流电，电场方向会不断地改变，极化中的微粒也会因此不断改变自己内部电子的排列，电子在微粒中移动速度影响微粒的移动方向。在交流电场中，电极的极性不断地正负交替，微粒其内部的电子能快速地随着电极的极性而移动，因此，微粒仍朝着电场强度较高的方向移动。本发明利用这一思路对目前的抛光机进行改装，从而获得抛光效率更高、成本低、避免抛光液和磨粒浪费的设备。