[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201310335796.1 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN103400838A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，包括：
衬底上的布线；
所述衬底上的像素，所述像素包括像素晶体管；以及
所述衬底上的保护电路，所述保护电路至少包括第一晶体管和第二晶体管，
其中所述像素晶体管包括：
电连接到所述布线的栅电极；
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：
栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘膜；
所述栅绝缘膜上的氧化物半导体层；以及
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极之一电连接到所述布线。
2.一种显示装置，包括：
衬底上的布线；
所述衬底上的像素，所述像素包括像素晶体管；
所述衬底上的保护电路，所述保护电路至少包括第一晶体管和第二晶体管；以及
所述布线上的保护绝缘膜，
其中所述像素晶体管包括：
电连接到所述布线的栅电极；
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：
栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘膜；
所述栅绝缘膜上的氧化物半导体层；以及
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极之一电连接到所述布线，
其中所述保护绝缘膜设置在所述氧化物半导体层、所述源电极、所述漏电极、以及所述布线上，以及
其中所述保护绝缘膜包含氧和硅。
3.一种显示装置，包括：
衬底上的布线；
所述衬底上的像素，所述像素包括像素晶体管；
所述衬底上的保护电路，所述保护电路至少包括第一晶体管和第二晶体管；以及
所述布线上的保护绝缘膜，
其中所述像素晶体管包括：
电连接到所述布线的栅电极；
其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个包括：
栅电极；
所述栅电极上的栅绝缘膜；
所述栅绝缘膜上的氧化物半导体层；以及
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极，其中所述源电极和所述漏电极之一电连接到所述布线，
其中所述保护绝缘膜设置在所述氧化物半导体层、所述源电极、所述漏电极、以及所述布线上，
其中所述保护绝缘膜包含氧和硅，以及
其中所述栅绝缘膜包含氧和硅。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，还包括像素电极，所述像素电极电连接到所述像素晶体管的源电极和漏电极之一。
5.如权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体层包含铟、镓和锌。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
